Low-temperature germanium thin films on silicon (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Low-temperature germanium thin films on silicon (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1364/OME.1.000856 (literal)

Alternative label

• Sorianello, Vito 1, Colace, Lorenzo 1, Armani, Nicola 2, Rossi, Francesca 2, Ferrari, Claudio 2, Lazzarini, Laura 2, Assanto, Gaetano 1 (2011)
  Low-temperature germanium thin films on silicon
  in Optical materials express; optical society of america, Washington (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Sorianello, Vito 1, Colace, Lorenzo 1, Armani, Nicola 2, Rossi, Francesca 2, Ferrari, Claudio 2, Lazzarini, Laura 2, Assanto, Gaetano 1 (literal)

Pagina inizio

• 856 (literal)

Pagina fine

• 865 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni

• ID_PUMA: cnr.imem/2011-A0-023 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.opticsinfobase.org/ome/abstract.cfm?uri=ome-1-5-856 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 1 (literal)

Rivista

• Optical materials express (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 10 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 5 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• (1) Nonlinear Optics and OptoElectronics Lab (NooEL), Rome, Italy; (2) CNR, Inst IMEM, I-43124 Parma, Italy (literal)

Titolo

• Low-temperature germanium thin films on silicon (literal)

Abstract

• We discuss thermal evaporation of Germanium thin films as a suitable route to realizing near-infrared detectors integrated on a Silicon platform. We study the structural properties of samples grown at various substrate temperatures by X-ray diffraction and transmission electron microscopy, showing that Ge thin films are amorphous when deposited below 225°C, mono-crystalline between 225 and 400°C, poly-crystalline above 450°C. We further investigate their optical and electrical properties using differential optical absorption spectroscopy, Hall and photocurrent measurements. Finally, with the evaporated Ge thin films we demonstrate near-infrared photodiodes with low dark current density and good responsivity at 1.55 ?m. (literal)

Editore

• optical society of america (Editore)

Prodotto di

• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• FRANCESCA ROSSI (Persona)
• LAURA LAZZARINI (Unità di personale interno)
• NICOLA ARMANI (Unità di personale interno)
• CLAUDIO FERRARI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Low-temperature germanium thin films on silicon" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• CLAUDIO FERRARI (Unità di personale interno)
• LAURA LAZZARINI (Unità di personale interno)
• NICOLA ARMANI (Unità di personale interno)
• FRANCESCA ROSSI (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Optical materials express (Rivista)

Editore di

• optical society of america (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Low-temperature germanium thin films on silicon" (Insieme di parole chiave)