Relationship between structural changes, hydrogen content and annealing in stacks of ultrathin Si/Ge amorphous layers (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Relationship between structural changes, hydrogen content and annealing in stacks of ultrathin Si/Ge amorphous layers (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1186/1556-276X-6-189 (literal)

Alternative label

• Frigeri, Cesare 1, Serényi, Miklos 2, Khánh, Nguyen Quoc 2, Csik, Attila 3, Riesz, Ferenc 2, Erdélyi, Zoltán 4, Nasi, Lucia 1, Beke, D. László 4, Boyen, Hans-Gerd 5 (2011)
  Relationship between structural changes, hydrogen content and annealing in stacks of ultrathin Si/Ge amorphous layers
  in Nanoscale research letters (Online); SPRINGER, 233 SPRING ST, NEW YORK, NY 10013 (Stati Uniti d'America)
  (literal)

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• Frigeri, Cesare 1, Serényi, Miklos 2, Khánh, Nguyen Quoc 2, Csik, Attila 3, Riesz, Ferenc 2, Erdélyi, Zoltán 4, Nasi, Lucia 1, Beke, D. László 4, Boyen, Hans-Gerd 5 (literal)

Pagina inizio

• 189-1 (literal)

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• ID_PUMA: cnr.imem/2011-A0-006 (literal)

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• http://www.nanoscalereslett.com/content/6/1/189 (literal)

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• 6 (literal)

Rivista

• Nanoscale research letters (Rivista)

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• 6 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)
• PubMe (literal)

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• [ 1 ] CNR, IMEM Inst, I-43100 Parma, Italy; [ 2 ] Hungarian Acad Sci, Res Inst Tech Phys & Mat Sci, H-1525 Budapest, Hungary; [ 3 ] Hungarian Acad Sci, Inst Nucl Res, H-4001 Debrecen, Hungary; [ 4 ] Hungarian Acad Sci, Dept Solid State Phys, H-4010 Debrecen, Hungary; [ 5 ] Hasselt Univ, Inst Mat Res IMO, Diepenbeek, Belgium (literal)

Titolo

• Relationship between structural changes, hydrogen content and annealing in stacks of ultrathin Si/Ge amorphous layers (literal)

Abstract

• Hydrogenated multilayers (MLs) of a-Si/a-Ge have been analysed to establish the reasons of H release during annealing that has been seen to bring about structural modifications even up to well-detectable surface degradation. Analyses carried out on single layers of a-Si and a-Ge show that H is released from its bond to the host lattice atom and that it escapes from the layer much more efficiently in a-Ge than in a-Si because of the smaller binding energy of the H-Ge bond and probably of a greater weakness of the Ge lattice. This should support the previous hypothesis that the structural degradation of a-Si/a-Ge MLs primary starts with the formation of H bubbles in the Ge layers. (literal)

Editore

• SPRINGER, 233 SPRING ST (Editore)

Prodotto di

• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• LUCIA NASI (Unità di personale interno)
• CESARE FRIGERI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Relationship between structural changes, hydrogen content and annealing in stacks of ultrathin Si/Ge amorphous layers" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• LUCIA NASI (Unità di personale interno)
• CESARE FRIGERI (Persona)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)

Editore di

• SPRINGER, 233 SPRING ST (Editore)

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• Nanoscale research letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Relationship between structural changes, hydrogen content and annealing in stacks of ultrathin Si/Ge amorphous layers" (Insieme di parole chiave)