Optical absorption and electrical conductivity of microcrystalline silicon layers grown by SiF4-H2 plasma on glass substrates (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Optical absorption and electrical conductivity of microcrystalline silicon layers grown by SiF4-H2 plasma on glass substrates (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2001-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

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• 10.1016/S0040-6090(00)01582-0 (literal)

Alternative label

• M. Ambrico1, L. Schiavulli2, T. Ligonzo2, G. Cicala1, P. Capezzuto3, G. Bruno1 (2001)
  Optical absorption and electrical conductivity of microcrystalline silicon layers grown by SiF4-H2 plasma on glass substrates
  in Thin solid films (Print)
  (literal)

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• M. Ambrico1, L. Schiavulli2, T. Ligonzo2, G. Cicala1, P. Capezzuto3, G. Bruno1 (literal)

Pagina inizio

• 200 (literal)

Pagina fine

• 202 (literal)

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• 383 (literal)

Rivista

• Thin solid films (Rivista)

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• 3 (literal)

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• 1-2 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)
• Scopu (literal)

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• 1C.N.R. ? Centro Studio per la Chimica dei Plasmi-C.N.R., Via Amendola, I-70126 Bari, Italy 2Dipartimento di Fisica and Unita' INFM, Via Amendola, I-70126 Bari, Italy 3Dipartimento di Chimica Università di Bari, Via Orabona 4, 70126 Bari, Italy (literal)

Titolo

• Optical absorption and electrical conductivity of microcrystalline silicon layers grown by SiF4-H2 plasma on glass substrates (literal)

Abstract

• Microcrystalline silicon m?c-Si. films, having different crystalline fractions (fc) and thicknesses, were deposited on glass by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) starting from a SiF4-?H2?-He gas mixture. The absorption coefficient (alfa)? in the energy range 0.8?-2.0 eV was evaluated from the standard constant photocurrent method (S-CPM) and dark conductivity measurements have been performed. The S-CPM data elaboration was carried out according to the Favre approach, in order to take account for the bulk scattering. The true ?alfa vs. energy trend was interpreted to evidence defect density and the crystalline-amorphous fraction of the samples. However, no thickness effect on the ?true alfa coefficient was observed, whereas the change in crystalline fraction resulted in different scattering effects. (literal)

Prodotto di

• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)
• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Dinamica di Plasmi e Laser-Plasmi (MD.P03.027.001) (Modulo)

Autore CNR

• GRAZIA CICALA (Unità di personale interno)
• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• MARIANNA AMBRICO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Optical absorption and electrical conductivity of microcrystalline silicon layers grown by SiF4-H2 plasma on glass substrates" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)
• Dinamica di Plasmi e Laser-Plasmi (MD.P03.027.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• GRAZIA CICALA (Unità di personale interno)
• MARIANNA AMBRICO (Persona)

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• Thin solid films (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Optical absorption and electrical conductivity of microcrystalline silicon layers grown by SiF4-H2 plasma on glass substrates" (Insieme di parole chiave)