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From amorphous to microcrystalline silicon deposition in SiF4-H2-He plasmas in situ control by optical emission spectroscopy (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- From amorphous to microcrystalline silicon deposition in SiF4-H2-He plasmas in situ control by optical emission spectroscopy (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2001-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1016/S0040-6090(00)01584-4 (literal)
- Alternative label
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- G. Cicala1, P. Capezzuto2 and G. Bruno1 (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
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- Rivista
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- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo
- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Scopu (literal)
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- 1Centro di Studio per la Chimica dei Plasmi, w/o Dipartimento di Chimica-Uni?ersit`a di Bari Via Orabona, 4-70126 Bari, Italy
2Dipartimento di Chimica-Uni?ersit`a di Bari Via Orabona, 4-70126 Bari, Italy (literal)
- Titolo
- From amorphous to microcrystalline silicon deposition in SiF4-H2-He plasmas in situ control by optical emission spectroscopy (literal)
- Abstract
- Pure hydrogenated microcrystalline silicon (mc-Si?H) films were deposited by SiF4-?H2-?He plasmas at temperatures as low as 120°?C and frequencies of 13.56 and 75 MHz. The plasma diagnostics by optical emission spectroscopy has allowed us to control the growth of m?c-Si?H films. The silicon structure can be changed from pure amorphous to pure microcrystalline under the
controlled variation of the densities of F atoms, H atoms and SiFn radicals in the plasma phase. (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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