From amorphous to microcrystalline silicon deposition in SiF4-H2-He plasmas in situ control by optical emission spectroscopy (Articolo in rivista)

Type
Label
  • From amorphous to microcrystalline silicon deposition in SiF4-H2-He plasmas in situ control by optical emission spectroscopy (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2001-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1016/S0040-6090(00)01584-4 (literal)
Alternative label
  • G. Cicala1, P. Capezzuto2 and G. Bruno1 (2001)
    From amorphous to microcrystalline silicon deposition in SiF4-H2-He plasmas in situ control by optical emission spectroscopy
    in Thin solid films (Print)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • G. Cicala1, P. Capezzuto2 and G. Bruno1 (literal)
Pagina inizio
  • 203 (literal)
Pagina fine
  • 205 (literal)
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  • 383 (literal)
Rivista
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  • 3 (literal)
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  • 1-2 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
  • Scopu (literal)
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  • 1Centro di Studio per la Chimica dei Plasmi, w/o Dipartimento di Chimica-Uni?ersit`a di Bari Via Orabona, 4-70126 Bari, Italy 2Dipartimento di Chimica-Uni?ersit`a di Bari Via Orabona, 4-70126 Bari, Italy (literal)
Titolo
  • From amorphous to microcrystalline silicon deposition in SiF4-H2-He plasmas in situ control by optical emission spectroscopy (literal)
Abstract
  • Pure hydrogenated microcrystalline silicon (mc-Si?H) films were deposited by SiF4-?H2-?He plasmas at temperatures as low as 120°?C and frequencies of 13.56 and 75 MHz. The plasma diagnostics by optical emission spectroscopy has allowed us to control the growth of m?c-Si?H films. The silicon structure can be changed from pure amorphous to pure microcrystalline under the controlled variation of the densities of F atoms, H atoms and SiFn radicals in the plasma phase. (literal)
Prodotto di
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