Growth chemistry of SiC alloys from SiF4-CH4 plasmas. (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Growth chemistry of SiC alloys from SiF4-CH4 plasmas. (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2001-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1016/S0169-4332(01)00665-1 (literal)
Alternative label
  • G. Cicala1, P. Capezzuto2, G. Bruno1 and M. C. Rossi3 (2001)
    Growth chemistry of SiC alloys from SiF4-CH4 plasmas.
    in Applied surface science
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • G. Cicala1, P. Capezzuto2, G. Bruno1 and M. C. Rossi3 (literal)
Pagina inizio
  • 66 (literal)
Pagina fine
  • 71 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 184 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali
  • 6 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo
  • 1-4 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
  • Scopu (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • 1Centro di Studio per la Chimica dei Plasmi CNR, w/o Dipartimento di Chimica Universita` di Bari Via Orabona, 4-70126 Bari, Italy 2Dipartimento di Chimica Universita` di Bari Via Orabona, 4-70126 Bari, Italy 3Dipartimento di Ingegneria Elettronica e INFM, Universita` di Roma Tre, Roma, Italy (literal)
Titolo
  • Growth chemistry of SiC alloys from SiF4-CH4 plasmas. (literal)
Abstract
  • The deposition of SiC:H,F films from SiF4-CH4 plasmas is investigated: the emphasis is on the role of H and F atoms in determining the carbon and silicon etching processes. It is found that the H2 addition to the SiF4-CH4-He mixture affects the relative amounts of the H and F atoms in the plasma phase. The H/F ratio controls the deposition rate, the composition and the structure of silicon carbon alloys. (literal)
Prodotto di
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