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Growth chemistry of SiC alloys from SiF4-CH4 plasmas. (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Growth chemistry of SiC alloys from SiF4-CH4 plasmas. (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2001-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1016/S0169-4332(01)00665-1 (literal)
- Alternative label
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- G. Cicala1, P. Capezzuto2, G. Bruno1 and M. C. Rossi3 (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
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- Rivista
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo
- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Scopu (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- 1Centro di Studio per la Chimica dei Plasmi CNR, w/o Dipartimento di Chimica Universita` di Bari Via Orabona, 4-70126 Bari, Italy
2Dipartimento di Chimica Universita` di Bari Via Orabona, 4-70126 Bari, Italy
3Dipartimento di Ingegneria Elettronica e INFM, Universita` di Roma Tre, Roma, Italy (literal)
- Titolo
- Growth chemistry of SiC alloys from SiF4-CH4 plasmas. (literal)
- Abstract
- The deposition of SiC:H,F films from SiF4-CH4 plasmas is investigated: the emphasis is on the role of H and F atoms in determining the carbon and silicon etching processes. It is found that the H2 addition to the SiF4-CH4-He mixture affects the relative amounts of the H and F atoms in the plasma phase. The H/F ratio controls the deposition rate, the composition and the
structure of silicon carbon alloys. (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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