Design and growth of metamorphic InAs/InGaAs quantum dots for single photon emission in the telecom window (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Design and growth of metamorphic InAs/InGaAs quantum dots for single photon emission in the telecom window (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1039/c2ce25860a (literal)

Alternative label

• L Seravalli, G Trevisi, and P Frigeri (2012)
  Design and growth of metamorphic InAs/InGaAs quantum dots for single photon emission in the telecom window
  in CrystEngComm (Camb., Online); The Royal Society of Chemistry, Cambridge (Regno Unito)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• L Seravalli, G Trevisi, and P Frigeri (literal)

Pagina inizio

• 6833 (literal)

Pagina fine

• 6838 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 14 (literal)

Rivista

• CrystEngComm (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 6 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 20 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMEM CNR Inst, I-43124 Parma, Italy (literal)

Titolo

• Design and growth of metamorphic InAs/InGaAs quantum dots for single photon emission in the telecom window (literal)

Abstract

• III-V semiconductor quantum dots are strong candidates for single photon sources and are fundamental cornerstones in the growing field of quantum cryptography and quantum computing. We present an original MBE growth approach, based on the deposition of sub-critical coverages of InAs on metamorphic InGaAs buffers, that allows us to obtain low surface densities for QDs emitting in the 1.3-1.55 mm telecom spectral window. Thanks to the unique properties of the metamorphic system, which allows us to independently change the QD strain and InGaAs buffer composition, we discuss how the sub-critical growth regime is fundamentally different from the widely known Stranski-Krastanow method. Moreover, we present the morphological and optical properties of these nanostructures, aiming to prove that they can be effective single photon sources emitting at 1.3-1.55 mm at low temperatures, thanks to the possibility of engineering the structures by using InGaAs capping layers at different compositions. (literal)

Editore

• The Royal Society of Chemistry (Editore)

Prodotto di

• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P06.037.005) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• GIOVANNA TREVISI (Unità di personale interno)
• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Design and growth of metamorphic InAs/InGaAs quantum dots for single photon emission in the telecom window" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• GIOVANNA TREVISI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P06.037.005) (Modulo)

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• CrystEngComm (Rivista)

Editore di

• The Royal Society of Chemistry (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Design and growth of metamorphic InAs/InGaAs quantum dots for single photon emission in the telecom window" (Insieme di parole chiave)