Control of heteroepitaxial growth of CaCu3Ti4O12 films on SrTiO3 substrates by MOCVD (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Control of heteroepitaxial growth of CaCu3Ti4O12 films on SrTiO3 substrates by MOCVD (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1002/cvde.201106960 (literal)

Alternative label

• M. R. Catalano, G. Malandrino, R. G. Toro, R. Lo Nigro (2012)
  Control of heteroepitaxial growth of CaCu3Ti4O12 films on SrTiO3 substrates by MOCVD
  in Chemical vapor deposition (Print)
  (literal)

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• M. R. Catalano, G. Malandrino, R. G. Toro, R. Lo Nigro (literal)

Pagina inizio

• 76 (literal)

Pagina fine

• 82 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 18 (literal)

Rivista

• Chemical vapor deposition (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 7 (literal)

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• 1-3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, IMM-CNR Strada VIII 5, 95121 Catania, Italy Dipartimento di Scienze Chimiche, Università di Catania, INSTM, UdR Catania Viale A. Doria 6, 95125 Catania, Italy CNR-Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati, P.O. Box 10 Monterotondo Stazione, 00015 Roma, Italy (literal)

Titolo

• Control of heteroepitaxial growth of CaCu3Ti4O12 films on SrTiO3 substrates by MOCVD (literal)

Abstract

• Thin films of CaCu3Ti4O12 (CCTO) are successfully deposited by metal-organic (MO)CVD on (001)SrTiO3 substrates. An interesting approach, based on a molten multi-component precursor source, is applied. The molten mixture consists of the Ca(hfa)2 center dot tetraglyme, Ti(tmhd)2(OiPr)2, and Cu(tmhd)2 [Hhfa?=?1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedione; tetraglyme?=?2,5,8,11,14-pentaoxapentadecane; Htmhd?=?2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptandione; OiPr?=?iso-propoxide] precursors. It is also found that, in the present case of a relatively large lattice mismatch (similar to 5%), the epitaxial growth can be achieved by a careful optimization of deposition parameters. Film structural and morphological characterization is carried out using several techniques; X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), and transmission electron microscopy (TEM). A complete comparison between films deposited by two main processes is carried out in order to understand the kinetic and thermodynamic issues involved in the MOCVD epitaxial growth. (literal)

Prodotto di

• Sintesi e crescita di film e superfici nanostrutturate (PM.P05.004.002) (Modulo)
• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• ROBERTA GRAZIA TORO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Control of heteroepitaxial growth of CaCu3Ti4O12 films on SrTiO3 substrates by MOCVD" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)
• Sintesi e crescita di film e superfici nanostrutturate (PM.P05.004.002) (Modulo)

Autore CNR di

• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• ROBERTA GRAZIA TORO (Unità di personale interno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Chemical vapor deposition (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Control of heteroepitaxial growth of CaCu3Ti4O12 films on SrTiO3 substrates by MOCVD" (Insieme di parole chiave)