Real time studies of In-adlayer during PAMBE of InGaN/GaN MQWs (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Real time studies of In-adlayer during PAMBE of InGaN/GaN MQWs (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1002/pssc.201100072 (literal)

Alternative label

• T.H. Kim, Maria Losurdo, S. Choi, I. Yoon, G. Bruno, A. Brown (2012)
  Real time studies of In-adlayer during PAMBE of InGaN/GaN MQWs
  in Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• T.H. Kim, Maria Losurdo, S. Choi, I. Yoon, G. Bruno, A. Brown (literal)

Pagina inizio

• 1036 (literal)

Pagina fine

• 1039 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 9 (literal)

Rivista

• Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMIP-CNR, Bari, Italy Duke Univ, Dept Elect & Comp Engn, Durham, NC 27708 USA (literal)

Titolo

• Real time studies of In-adlayer during PAMBE of InGaN/GaN MQWs (literal)

Abstract

• The control of In adlayer during plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) of InGaN/GaN multiquantum wells (MQWs) is critical to achieve good structural and optical properties. This contribution focuses on the investigation by real-time spectroscopic ellipsometry, corroborated by reflection high energy electron diffraction (RHEED), of In adlayer during the PAMBE growth of InGaN/GaN MQWs. The ellipsometric data reveal In accumulation during InGaN growth, which results in thicker quantum well than designed. We address the effect of the indium adlayer on the growth of InGaN/GaN with an indium composition between 7% and 13%, and on their optical and structural properties determined by high-resolution X-ray diffraction and photoluminescence (literal)

Prodotto di

• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)
• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)

Autore CNR

• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)
• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics (Rivista)