Optoelectronic properties of Al:ZnO: critical dosage for an optimal transparent conductive oxide (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Optoelectronic properties of Al:ZnO: critical dosage for an optimal transparent conductive oxide (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3567513 (literal)

Alternative label

• Mirco Bazzani, Andrea Neroni, Arrigo Calzolari and Alessandra Catellani (2011)
  Optoelectronic properties of Al:ZnO: critical dosage for an optimal transparent conductive oxide
  in Applied physics letters (Online); AIP, American institute of physics, Melville, NY (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Mirco Bazzani, Andrea Neroni, Arrigo Calzolari and Alessandra Catellani (literal)

Pagina inizio

• 121907-1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v98/i12/p121907_s1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 98 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 12 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Univ Parma, Dept Phys, I-43100 Parma, Italy; CNR IMEM Parco Area Sci, I-43100 Parma, Italy; Ist Officina Mat, CNR IOM, Democritos Simulat Ctr, Theory Elettra Grp, I-34012 Trieste, Italy (literal)

Titolo

• Optoelectronic properties of Al:ZnO: critical dosage for an optimal transparent conductive oxide (literal)

Abstract

• We study the effects of aluminum doping on the electronic and optical properties of ZnO, via density functional simulations. We discuss the bandstructure and absorption properties of Al:ZnO as a function of the dopant concentration, and compare with recent experimental data. Our results support the formation of a transparent conductive oxide compound up to an incorporation of Al of about 3% in substitutional Zn sites. We propose an explanation to the observed degradation of conductivity in terms of interstitial defects expected to occur at high doping concentrations, beyond the Al solubility limit. (literal)

Editore

• AIP, American institute of physics (Editore)

Prodotto di

• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Teoria e simulazione di materiali nanostrutturati (MD.P06.012.003) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• ANDREA NERONI (Persona)
• ALESSANDRA CATELLANI (Unità di personale interno)
• ARRIGO CALZOLARI (Persona)
• MIRCO BAZZANI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Optoelectronic properties of Al:ZnO: critical dosage for an optimal transparent conductive oxide" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Teoria e simulazione di materiali nanostrutturati (MD.P06.012.003) (Modulo)

Autore CNR di

• ALESSANDRA CATELLANI (Unità di personale interno)
• MIRCO BAZZANI (Persona)
• ANDREA NERONI (Persona)
• ARRIGO CALZOLARI (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Editore di

• AIP, American institute of physics (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Optoelectronic properties of Al:ZnO: critical dosage for an optimal transparent conductive oxide" (Insieme di parole chiave)