Magnetic Proximity Effect as a Pathway to Spintronic Applications of Topological Insulators (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Magnetic Proximity Effect as a Pathway to Spintronic Applications of Topological Insulators (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1021/nl201275q (literal)

Alternative label

• Ivana Vobornik, Unnikrishnan Manju, Jun Fujii, Francesco Borgatti, Piero Torelli, Damjan Krizmancic, Yew San Hor, Robert J. Cava, and Giancarlo Panaccione (2011)
  Magnetic Proximity Effect as a Pathway to Spintronic Applications of Topological Insulators
  in Nano letters (Online)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Ivana Vobornik, Unnikrishnan Manju, Jun Fujii, Francesco Borgatti, Piero Torelli, Damjan Krizmancic, Yew San Hor, Robert J. Cava, and Giancarlo Panaccione (literal)

Pagina inizio

• 4079 (literal)

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• http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl201275q (literal)

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• 11 (literal)

Rivista

• Nano letters (Rivista)

Note

• Scopus (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• Istituto Officina dei Materiali (IOM)--CNR, Laboratorio TASC, in Area Science Park, S.S.14, Km 163.5, I-34149 Trieste, Italy International Centre for Theoretical Physics (ICTP), Strada Costiera 11, I-34100 Trieste, Italy ISMN--CNR, via Gobetti 101, I-40129 Bologna, Italy Department of Chemistry, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, United States (literal)

Titolo

• Magnetic Proximity Effect as a Pathway to Spintronic Applications of Topological Insulators (literal)

Abstract

• Spin-based electronics in topological insulators (TIs) is favored by the long spin coherence1,2 and consequently fault-tolerant information storage. Magnetically doped TIs are ferromagnetic up to 13 K,3 well below any practical operating condition. Here we demonstrate that the long-range ferromagnetism at ambient temperature can be induced in Bi2-xMnxTe3 by the magnetic proximity effect through deposited Fe overlayer. This result opens a new path to interface-controlled ferromagnetism in TI-based spintronic devices. (literal)

Prodotto di

• Correlazione elettronica in interfacce magnetiche nanostrutturate e sistemi self-assembled (interfacce molecole-metallo, metallo-metallo, etc..) (MD.P04.006.002) (Modulo)
• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)

Autore CNR

• PIERO TORELLI (Persona)
• GIANCARLO PANACCIONE (Unità di personale interno)
• FRANCESCO BORGATTI (Unità di personale interno)
• DAMJAN KRIZMANCIC (Unità di personale interno)
• JUN FUJII (Unità di personale interno)
• IVANA VOBORNIK (Persona)

Insieme di parole chiave

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Autore CNR di

• PIERO TORELLI (Persona)
• IVANA VOBORNIK (Persona)
• GIANCARLO PANACCIONE (Unità di personale interno)
• DAMJAN KRIZMANCIC (Unità di personale interno)
• JUN FUJII (Unità di personale interno)
• FRANCESCO BORGATTI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• Correlazione elettronica in interfacce magnetiche nanostrutturate e sistemi self-assembled (interfacce molecole-metallo, metallo-metallo, etc..) (MD.P04.006.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Nano letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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