MOCVD of Vanadium Oxide Films with a Novel Vanadium(III) Precursor (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• MOCVD of Vanadium Oxide Films with a Novel Vanadium(III) Precursor (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1002/cvde.201004291 (literal)

Alternative label

• Crociani L.; Carta G.; Natali M.; Rigato V.; Rossetto G. (2011)
  MOCVD of Vanadium Oxide Films with a Novel Vanadium(III) Precursor
  in Chemical vapor deposition (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Crociani L.; Carta G.; Natali M.; Rigato V.; Rossetto G. (literal)

Pagina inizio

• 6 (literal)

Pagina fine

• 8 (literal)

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• http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/cvde.201004291/full (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 17 (literal)

Rivista

• Chemical vapor deposition (Rivista)

Note

• Scopu (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1,2,3,5 : CNR, Inst Chim Inorgan & Superfici, I-35127 Padua, Italy / 4: Ist Nazl Fis Nucl, LNL, I-35020 Legnaro, Italy (literal)

Titolo

• MOCVD of Vanadium Oxide Films with a Novel Vanadium(III) Precursor (literal)

Abstract

• In this communication we report the synthesis and characterization of the vanadium (III) alkoxide [V(OCMe(2)CH(2)OMe)(3)], which presents an appreciable volatility (55 degrees C/1.5 Torr), its successful use as MOCVD precursor for the deposition of pure VO(2) and V(2)O(5) films and the characterization of the films by means of Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS), X-Ray Diffraction (XRD) and Cyclic Voltammetry. (literal)

Prodotto di

• Progettazione di Nuovi Precursori Molecolari per Nanosistemi e Ottimizzazione del Processo MOCVD per la Fabbricazione e/o Modifica delle Funzionalità delle Superfici (PM.P05.001.001) (Modulo)
• Institute of Condensed Matter Chemistry and Energy Technologies (ICMATE) (Istituto)
• Istituto di chimica inorganica e delle superfici (ICIS) (Istituto)

Autore CNR

• GIOVANNI CARTA (Unità di personale interno)
• MARCO STEFANO NATALI (Unità di personale interno)
• LAURA CROCIANI (Unità di personale interno)
• GILBERTO LUCIO ROSSETTO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "MOCVD of Vanadium Oxide Films with a Novel Vanadium(III) Precursor" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto di chimica inorganica e delle superfici (ICIS) (Istituto)
• Institute of Condensed Matter Chemistry and Energy Technologies (ICMATE) (Istituto)
• Progettazione di Nuovi Precursori Molecolari per Nanosistemi e Ottimizzazione del Processo MOCVD per la Fabbricazione e/o Modifica delle Funzionalità delle Superfici (PM.P05.001.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GILBERTO LUCIO ROSSETTO (Persona)
• LAURA CROCIANI (Unità di personale interno)
• MARCO STEFANO NATALI (Unità di personale interno)
• GIOVANNI CARTA (Unità di personale interno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Chemical vapor deposition (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "MOCVD of Vanadium Oxide Films with a Novel Vanadium(III) Precursor" (Insieme di parole chiave)