Interedge strong-to-weak scattering evolution at a constriction in the fractional quantum Hall regime (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Interedge strong-to-weak scattering evolution at a constriction in the fractional quantum Hall regime (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1103/PhysRevLett.93.046801 (literal)

Alternative label

• Roddaro S.; Pellegrini V.; Beltram F.; Biasiol G.; Sorba L. (2004)
  Interedge strong-to-weak scattering evolution at a constriction in the fractional quantum Hall regime
  in Physical review letters (Print)
  (literal)

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• Roddaro S.; Pellegrini V.; Beltram F.; Biasiol G.; Sorba L. (literal)

Pagina inizio

• 046801 (literal)

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• http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.93.046801 (literal)

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• 93 (literal)

Rivista

• Physical review letters (Rivista)

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• 4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• NEST-INFM, Scuola Normale Superiore, Piazza dei Cavalieri 7, I-56126 Pisa, Italy NEST-INFM and Laboratorio Nazionale TASC-INFM, Area Science Park, I-34012 Trieste, Italy Università di Modena e Reggio Emilia, Modena I-34012, Italy (literal)

Titolo

• Interedge strong-to-weak scattering evolution at a constriction in the fractional quantum Hall regime (literal)

Abstract

• Gate-voltage control of interedge tunneling at a split-gate constriction in the fractional quantum Hall regime is reported. Quantitative agreement with the behavior predicted for out-of-equilibrium quasiparticle transport between chiral Luttinger liquids is shown at low temperatures at specific values of the backscattering strength. When the latter is lowered by changing the gate voltage, the zero-bias peak of the tunneling conductance evolves into a minimum, and a nonlinear quasiholelike characteristic emerges. Our analysis emphasizes the role of the local filling factor in the split-gate constriction region. (literal)

Prodotto di

• Nanostrutture a semiconduttore per la nanoelettronica e la spin-fotonica (MD.P06.021.001) (Modulo)

Autore CNR

• GIORGIO BIASIOL (Unità di personale interno)
• FABIO BELTRAM (Persona)
• VITTORIO PELLEGRINI (Unità di personale interno)
• STEFANO RODDARO (Persona)
• LUCIA SORBA (Unità di personale interno)

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Autore CNR di

• LUCIA SORBA (Unità di personale interno)
• VITTORIO PELLEGRINI (Unità di personale interno)
• GIORGIO BIASIOL (Unità di personale interno)
• FABIO BELTRAM (Persona)
• STEFANO RODDARO (Persona)

Prodotto

• Nanostrutture a semiconduttore per la nanoelettronica e la spin-fotonica (MD.P06.021.001) (Modulo)

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• Physical review letters (Rivista)

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