High-Modal Gain 1300-nm In(Ga)As-GaAs Quantum-Dot Lasers (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• High-Modal Gain 1300-nm In(Ga)As-GaAs Quantum-Dot Lasers (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• A. Salhi, L. Martiradonna, G. Visimberga, V. Tasco, L. Fortunato, M. T. Todaro, R. Cingolani, A. Passaseo, M. De Vittorio (2006)
  High-Modal Gain 1300-nm In(Ga)As-GaAs Quantum-Dot Lasers
  in IEEE photonics technology letters
  (literal)

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• A. Salhi, L. Martiradonna, G. Visimberga, V. Tasco, L. Fortunato, M. T. Todaro, R. Cingolani, A. Passaseo, M. De Vittorio (literal)

Pagina inizio

• 1735 (literal)

Pagina fine

• 1737 (literal)

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• 18 (literal)

Rivista

• IEEE photonics technology letters (Rivista)

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• 3 (literal)

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• 16 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• National Nanotechnology Laboratory of CNR-INFM (literal)

Titolo

• High-Modal Gain 1300-nm In(Ga)As-GaAs Quantum-Dot Lasers (literal)

Abstract

• A semiconductor laser containing seven InAs-In- GaAs stacked quantum-dot (QD) layers was grown by molecular beam epitaxy. Shallow mesa ridge-waveguide lasers with stripe width of 120 ?m were fabricated and tested. A high modal gain of 41 cm?1 was obtained at room temperature corresponding to a modal gain of ?6 cm?1 per QD layer, which is very promising to enable the realization of 1.3-?m ultrashort cavity devices such as vertical-cavity surface-emitting lasers. Ground state laser action was achieved for a 360-?m-cavity length with as-cleaved facets. The transparency current density per QD layer and internal quantum efficiency were 13 A/cm2 and 67%, respectively. (literal)

Prodotto di

• Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028.002) (Modulo)

Autore CNR

• ADRIANA GRAZIA PASSASEO (Unità di personale interno)
• MASSIMO DE VITTORIO (Persona)
• MARIA TERESA TODARO (Unità di personale interno)
• VITTORIANNA TASCO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "High-Modal Gain 1300-nm In(Ga)As-GaAs Quantum-Dot Lasers" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ADRIANA GRAZIA PASSASEO (Unità di personale interno)
• MARIA TERESA TODARO (Unità di personale interno)
• MASSIMO DE VITTORIO (Persona)
• VITTORIANNA TASCO (Persona)

Prodotto

• Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028.002) (Modulo)

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• IEEE photonics technology letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "High-Modal Gain 1300-nm In(Ga)As-GaAs Quantum-Dot Lasers" (Insieme di parole chiave)