Mechanism of B diffusion in crystalline Ge under proton irradiation (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Mechanism of B diffusion in crystalline Ge under proton irradiation (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1103/PhysRevB.80.033204 (literal)
Alternative label
  • Bruno, E. (1); Mirabella, S. (1); Scapellato, G. G. (1); Impellizzeri, G. (1); Terrasi, A. (1); Priolo, F. (1); Napolitani, E. (2); De Salvador, D. (2); Mastromatteo, M. (2); Carnera, A. (2); (2009)
    Mechanism of B diffusion in crystalline Ge under proton irradiation
    in Physical review. B, Condensed matter and materials physics (CD-ROM); American Physical Society (APS), College Pk (Stati Uniti d'America)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Bruno, E. (1); Mirabella, S. (1); Scapellato, G. G. (1); Impellizzeri, G. (1); Terrasi, A. (1); Priolo, F. (1); Napolitani, E. (2); De Salvador, D. (2); Mastromatteo, M. (2); Carnera, A. (2); (literal)
Pagina inizio
  • 033204-1 (literal)
Pagina fine
  • 033204-4 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 80 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali
  • 4 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • (1) MATIS CNR-INFM and Dipartimento di Fisica e Astronomia, Università di Catania, Via S. Sofia 64, 95123 Catania, Italy (2) MATIS CNR-INFM and Dipartimento di Fisica, Università di Padova, Via Marzolo 8, 35131 Padova, Italy (literal)
Titolo
  • Mechanism of B diffusion in crystalline Ge under proton irradiation (literal)
Abstract
  • B diffusion in crystalline Ge is investigated by proton irradiation in thin layers with B delta doping under different fluences (1 X 10(15)-10 X 10(15) H(+)/cm(2)), fluxes (6 X 10(11)-35 X 10(11) H(+)/cm(2) s), and temperatures of the implanted target (from - 196 to 550 degrees C), both during and after irradiation. B migration is enhanced by several orders of magnitude with respect to equilibrium. Moreover, B diffusion is shown to occur through a point-defect-mediated mechanism, compatible with a kick-out process. The diffusion mechanism is discussed. These results are a key point for a full comprehension of the B diffusion in Ge. (literal)
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