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Room Temperature Migration of Boron in Crystalline Silicon (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Room Temperature Migration of Boron in Crystalline Silicon (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1103/PhysRevLett.93.055901 (literal)
- Alternative label
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- E. Napolitani (1); D. De Salvador (1); R. Storti (1); A. Carnera (1); S. Mirabella (2); F. Priolo (2) (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
- Rivista
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali
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- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- (1) MATIS-INFM and Dipartimento di Fisica, Universita` di Padova, Via Marzolo 8, I-35131 Padova, Italy;
(2) MATIS-INFM and Dipartimento di Fisica e Astronomia, Universita` di Catania, Via S. Sofia 64, I-95123 Catania, Italy (literal)
- Titolo
- Room Temperature Migration of Boron in Crystalline Silicon (literal)
- Abstract
- We demonstrate that substitutional B in silicon can migrate even at room temperature and below, stimulated by a high interstitial flux. Once mobile B is formed, it migrates for long distances with a diffusivity >5 ? 10?13 cm2=s, until it assumes an immobile configuration with a migration length independent of the temperature. This phenomenon is present during secondary ion mass spectrometry (SIMS) analyses of B profiles, altering the profile during the analysis itself. These results shed new light on all the data based on SIMS analyses and reported in literature in the last decades. (literal)
- Editore
- Prodotto di
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