Long wavelength emission in InxGa1-xAs quantum dot structures grown in a GaAs barrier by metalorganic chemical vapor deposition (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Long wavelength emission in InxGa1-xAs quantum dot structures grown in a GaAs barrier by metalorganic chemical vapor deposition (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.1652255 (literal)

Alternative label

• A.Passaseo; V. Tasco; M. De Giorgi; M. T. Todaro; M. De Vittorio; R. Cingolani (2004)
  Long wavelength emission in InxGa1-xAs quantum dot structures grown in a GaAs barrier by metalorganic chemical vapor deposition
  in Applied physics letters; American Institute Of Physics (AIP), Melville (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• A.Passaseo; V. Tasco; M. De Giorgi; M. T. Todaro; M. De Vittorio; R. Cingolani (literal)

Pagina inizio

• 1868 (literal)

Pagina fine

• 1870 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://apl.aip.org (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 84 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 11 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• NNL-INFM-Unita` di Lecce (literal)

Titolo

• Long wavelength emission in InxGa1-xAs quantum dot structures grown in a GaAs barrier by metalorganic chemical vapor deposition (literal)

Abstract

• We demonstrate a method to obtain room temperature long wavelength emission from InGaAs quantum dots ~QDs! growth directly into a binary GaAs matrix. The wavelength is tuned from 1.26 up to 1.33 mm by varying the V/III ratio during growth of the GaAs cap layer, without using a seeding layer or InGaAs wells. Strong improvement in terms of line-shape narrowing and efficiency is obtained. In addition to the shift in wavelength we observe an impressive reduction of temperature dependent quenching of the emission efficiency, which decreases only by a factor of 3 between cryogenic temperatures and room temperature, very good for QD structures emitting at 1.3 mm. Photoluminescence spectroscopy and theoretical modeling were combined for interpretation of the results. (literal)

Editore

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Prodotto di

• Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028.002) (Modulo)

Autore CNR

• MARIA TERESA TODARO (Unità di personale interno)
• ADRIANA GRAZIA PASSASEO (Unità di personale interno)
• VITTORIANNA TASCO (Persona)
• MILENA DE GIORGI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Long wavelength emission in InxGa1-xAs quantum dot structures grown in a GaAs barrier by metalorganic chemical vapor deposition" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• ADRIANA GRAZIA PASSASEO (Unità di personale interno)
• MILENA DE GIORGI (Persona)
• MARIA TERESA TODARO (Unità di personale interno)
• VITTORIANNA TASCO (Persona)

Prodotto

• Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Editore di

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Long wavelength emission in InxGa1-xAs quantum dot structures grown in a GaAs barrier by metalorganic chemical vapor deposition" (Insieme di parole chiave)