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Electrical analysis of carbon nanostructures/silicon heterojunctions designed for radiation detection (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Electrical analysis of carbon nanostructures/silicon heterojunctions designed for radiation detection (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- A. Tinti; F. Righetti; T. Ligonzo; A. Valentini; E. Nappi; A. Ambrosio; M. Ambrosio; C. Aramo; P. Maddalena; P. Castrucci; M. Scarselli; M. De Crescenzi; E. Fiandrini; V. Grossi; S. Santucci; M. Passacantando (literal)
- Rivista
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- INFN, Sezione di Bari; CNR-SPIN U.O.S. di Napoli e Dipartimento di Scienze Fisiche, Università degli Studi di Napoli Federico II; INFN, Sezione di Napoli; Dipartimento di Fisica, Università degli Studi di Roma Tor Vergata; INFN, Sezione di Perugia e Dipartimento di Fisica, Università degli Studi di Perugia; Dipartimento di Fisica, Università degli Studi dell'Aquila (literal)
- Titolo
- Electrical analysis of carbon nanostructures/silicon heterojunctions designed for radiation detection (literal)
- Abstract
- A new class of radiation detectors based on carbon nanostructures as the active photosensitive element has been recently developed. In this scenario the optimization of the device, both in dark and on light irradiation, is a crucial point. Here, we report on electrical measurements performed in dark conditions on carbon nanofibers and nanotubes deposited on silicon substrates. Our experimental results were interpreted in terms of a multistep tunneling process occurring at the carbon nanostructures/silicon interface. (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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