Self-organized growth of ZnTe nanoscale islands on (001)GaAs (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Self-organized growth of ZnTe nanoscale islands on (001)GaAs (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 1998-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• M. Longo 1; N. Lovergine 1, A. M. Mancini 1; A. Passaseo 1; G. Leo 2; M. Mazzer 2; M. Berti 3; A. V. Drigo 3 (1998)
  Self-organized growth of ZnTe nanoscale islands on (001)GaAs
  in Applied physics letters
  (literal)

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• M. Longo 1; N. Lovergine 1, A. M. Mancini 1; A. Passaseo 1; G. Leo 2; M. Mazzer 2; M. Berti 3; A. V. Drigo 3 (literal)

Pagina inizio

• 359 (literal)

Pagina fine

• 361 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 72 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1 Istituto Nazionale di Fisica della Materia (INFM) and Dipartimento di Scienza dei Materiali, Universita` di Lecce, Via Arnesano, I-73100 Lecce, Italy 2 Istituto per lo studio di nuovi Materiali per l'Elettronica (IME)-C.N.R., Via Arnesano, I-73100 Lecce, Italy 3 INFM and Dipartimento di Fisica ''G. Galilei,'' Universita` di Padova, Via Marzolo 8, I-35131 Padova, Italy (literal)

Titolo

• Self-organized growth of ZnTe nanoscale islands on (001)GaAs (literal)

Abstract

• The Stransky-Krastanow metalorganic vapor phase epitaxy growth of self-organized ZnTe islands on homoepitaxial ~001!GaAs is demonstrated. The 27.4% lattice mismatch of the ZnTe/GaAs heterostructure leads to a strain-driven distribution of nanoscale ZnTe islands on top of a two-dimensionally ~2D! grown wetting layer. Atomic force microscopy and Rutherford backscattering spectrometry are used to determine the island dimensions and the thickness of the wetting layer. The density of the islands, their average diameter, and aspect ratio turn out to be about 520 mm22, 13.6 nm, and 0.20, respectively, for a 1.2 ML thick 2D layer. Furthermore, the average aspect ratio of the islands decreases by increasing the thickness of the wetting layer, as expected by the progressive extinction of the strain-driven island nucleation. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• GABRIELLA LEO (Unità di personale interno)
• MASSIMO LONGO (Unità di personale interno)
• MASSIMO MAZZER (Persona)
• ADRIANA GRAZIA PASSASEO (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• ADRIANA GRAZIA PASSASEO (Unità di personale interno)
• MASSIMO LONGO (Unità di personale interno)
• MASSIMO MAZZER (Persona)
• GABRIELLA LEO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

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• Applied physics letters (Rivista)