Resonant-cavity-enhanced heterostructure metal-semiconductor-metal photodetector (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Resonant-cavity-enhanced heterostructure metal-semiconductor-metal photodetector (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Chen X.Y., Nabet B., Quaranta F., Cola A., Currie M., (2002)
    Resonant-cavity-enhanced heterostructure metal-semiconductor-metal photodetector
    in Applied physics letters
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Chen X.Y., Nabet B., Quaranta F., Cola A., Currie M., (literal)
Pagina inizio
  • 3222 (literal)
Pagina fine
  • 3225 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 80 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
  • Viene presentato un nuovo tipo di fotorivelatore basato su una eterostruttura contenente una cavita' risonante, assorbente a 850nm in uno strato di GaAs prossimo all'interfaccia con AlGaAs. Il dispositivo planare, del tipo Metallo-Semiconduttore-Metallo, fabbricato nei laboratori del CNR-IMM di Lecce, esibisce selettivita' in lunghezza d'onda, alta efficienza quantica ed alta velocita'. La combinazione di queste caratteristiche, insieme alle basse correnti di buio e, soprattutto, all'integrabilita' con i transistor di tipo HEMT (High Electron Mobility Transistor) rende questi dispositivi particolarmente interessanti per applicazioni nelle telecomunicazioni a breve distanza (short haul communications). (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • (1) Drexel University, Philadelphia, USA (2) IMM-CNR sezione di Lecce, Italy (3) Naval Research Laboratory, Washington dc, USA (literal)
Titolo
  • Resonant-cavity-enhanced heterostructure metal-semiconductor-metal photodetector (literal)
Abstract
  • We report a GaAs-based high-speed, resonant-cavity-enhanced, heterostructure metal-semiconductor-metal photodetector with Al0.24Ga0.76As/Al0.9Ga0.1As distributed Bragg reflector operating around 850 nm. The photocurrent spectrum shows a clear peak at this wavelength with full width at half maximum (FWHM) of around 30 nm. At resonance wavelength, a seven-fold increase can be achieved in quantum efficiency compared to a detector of the same absorption depth. The top reflector is a delta modulation doped Al0.24Ga0.76As that also acts as the barrier enhancement layer thus providing very low dark current values. The breakdown voltage is above 20 V. Time response measurements show rise time, fall time, and FWHM of 8.8 ps, 9 ps, and 8.1 ps, respectively, giving a 3-dB bandwidth of about 33 GHz. Combination of low dark current, fast response, wavelength selectivity, and compatibility with high electron mobility transistors makes this device especially suitable for short haul communications purposes. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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