Silicon carbide nanocrystals growth on Si(100) and Si(111) from a chemisorbed methanol layer (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Silicon carbide nanocrystals growth on Si(100) and Si(111) from a chemisorbed methanol layer (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.susc.2005.12.048 (literal)

Alternative label

• Palermo, V.; Parisini, A.; Jones, D. (2006)
  Silicon carbide nanocrystals growth on Si(100) and Si(111) from a chemisorbed methanol layer
  in Surface science
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Palermo, V.; Parisini, A.; Jones, D. (literal)

Pagina inizio

• 1140 (literal)

Pagina fine

• 1146 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0039602806000410 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 600(5 (literal)

Rivista

• Surface science (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 7 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• ISOF, I-40139 Bologna, Italy; IMM, I-40139 Bologna, Italy (literal)

Titolo

• Silicon carbide nanocrystals growth on Si(100) and Si(111) from a chemisorbed methanol layer (literal)

Abstract

• SiC nanocrystals are grown at high temperature on Si(1 0 0) and Si(1 1 1) surfaces starting from a chemisorbed layer of methanol. The decomposition of this layer allows to have a well defined amount of carbon to feed SiC growth. Nanocrystals ranging from 10 nm to 50 nm with density from 100 mu m(-2) to 1500 mu m(-2) are obtained, and the total volume of produced SiC corresponds to carbon provided by the chemisorbed organic layer. Large differences in nanocrystal size and density, as well as in surface roughness, are observed depending on substrate orientation. The internal structure, crystallinity and epitaxy of nanocrystals grown on Si(1 0 0) are studied using cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM), methanol adsorption and surface evolution using scanning tunnelling microscopy (STM). The joint application of XTEM and STM techniques allows a complete characterization of the geometry and chemical composition of these nanostructures. (literal)

Prodotto di

• Institute for organic syntheses and photoreactivity (ISOF) (Istituto)
• Teoria e simulazione di materiali nanostrutturati 2 (MD.P06.012.002) (Modulo)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• DEREK JONES (Unità di personale interno)
• ANDREA PARISINI (Unità di personale interno)
• VINCENZO PALERMO (Persona)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for organic syntheses and photoreactivity (ISOF) (Istituto)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)
• Teoria e simulazione di materiali nanostrutturati 2 (MD.P06.012.002) (Modulo)

Autore CNR di

• VINCENZO PALERMO (Persona)
• ANDREA PARISINI (Unità di personale interno)
• DEREK JONES (Unità di personale interno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Surface science (Rivista)