Excimer Laser annealing for shallow junction formation in Si power MOS devices (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Excimer Laser annealing for shallow junction formation in Si power MOS devices (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.tsf.2005.09.017 (literal)

Alternative label

• Fortunato G, Privitera V, La Magna A, Mariucci L, Cuscuna M, Svensson BG, Monakhov E, Camalleri M, Magri A, Salinas D, Simon F (2006)
  Excimer Laser annealing for shallow junction formation in Si power MOS devices
  in Thin solid films (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Fortunato G, Privitera V, La Magna A, Mariucci L, Cuscuna M, Svensson BG, Monakhov E, Camalleri M, Magri A, Salinas D, Simon F (literal)

Pagina inizio

• 2 (literal)

Pagina fine

• 6 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 504 (literal)

Rivista

• Thin solid films (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR, IFN, I-00156 Rome, Italy; CNR, IMM, I-95121 Catania, Italy; Univ Oslo, Dept Phys, Oslo, Norway; STMicroelectronics, Catania, Italy; Lambda Phys, Gottingen, Germany (literal)

Titolo

• Excimer Laser annealing for shallow junction formation in Si power MOS devices (literal)

Abstract

• Integration of excimer laser annealing (ELA) process for power MOSFET devices is currently studied and evaluated within the frame of the IST project FLASH (Fundamentals and applications of laser processing for highly innovative MOS technology), funded by the European Commission. Final goal of the project is to show that ELA can be industrialized in the context of semiconductor device fabrication. In this work, the recent advancements of the FLASH project are described, including the formation of n(+)/p source junctions in both one and two dimensions. The experimental results are analysed by using a two-dimensional simulation program, specifically developed by the consortium. The simulation tool allowed a deeper insight of the ELA process and has been successfully used to optimise the process parameters. Finally, data on electrical integrity of the test devices are also presented, showing a yield for optimum ELA conditions up to 84%. (literal)

Prodotto di

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Processi laser per dispostivi a semiconduttore (MD.P05.001.003) (Modulo)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Excimer Laser annealing for shallow junction formation in Si power MOS devices" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)
• Processi laser per dispostivi a semiconduttore (MD.P05.001.003) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Thin solid films (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Excimer Laser annealing for shallow junction formation in Si power MOS devices" (Insieme di parole chiave)