Enhanced boron diffusion in excimer laser preannealed Si (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Enhanced boron diffusion in excimer laser preannealed Si (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.1899765 (literal)

Alternative label

• Monakhov E.V.; Svensson B.G.; Linnarsson M.K.; La Magna A.; Spinella C.; Bongiorno C.; Privitera V.; Fortunato G.; Mariucci L. (2005)
  Enhanced boron diffusion in excimer laser preannealed Si
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Monakhov E.V.; Svensson B.G.; Linnarsson M.K.; La Magna A.; Spinella C.; Bongiorno C.; Privitera V.; Fortunato G.; Mariucci L. (literal)

Pagina inizio

• 151902 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v86/i15/p151902_s1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 86 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 15 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Univ Oslo, Dept Phys, N-0316 Oslo, Norway; Royal Inst Technol, Lab Mat & Semicond Phys, SE-16440 Kista, Sweden; CNR, IMM Sez Catania, I-95121 Catania, Italy; CNR, IFN, I-00156 Rome, Italy (literal)

Titolo

• Enhanced boron diffusion in excimer laser preannealed Si (literal)

Abstract

• We have investigated boron diffusion during rapid thermal annealing in Si implanted with boron using an energy of 1 keV and a dose of 1 x 10(16) cm(-2). Two types of samples have been studied: As-implanted and pretreated with excimer laser annealing. For both types an enhanced diffusion of boron has been observed with an enhancement by a factor of 3-5 over the \"standard\" diffusion. It is suggested that the high concentration of implanted boron is a dominant factor for the diffusion enhancement as compared to the effect of implantation-induced damage. The data indicate that the proximity of the surface can also affect the boron diffusion enhancement. (literal)

Prodotto di

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Processi laser per dispostivi a semiconduttore (MD.P05.001.003) (Modulo)

Autore CNR

• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Enhanced boron diffusion in excimer laser preannealed Si" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)
• Processi laser per dispostivi a semiconduttore (MD.P05.001.003) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Enhanced boron diffusion in excimer laser preannealed Si" (Insieme di parole chiave)