Localization of the dopant in Ge:Mn diluted magnetic semiconductors by x-ray absorption at the Mn K edge (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Localization of the dopant in Ge:Mn diluted magnetic semiconductors by x-ray absorption at the Mn K edge (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Gunnella, R.; Morresi, L.; Pinto, N.; Di Cicco, A.; Ottaviano, L.; Passacantando, M.; Verna, A.; Impellizzeri, G.; Irrera, A.; d'Acapito, F. (2010)
  Localization of the dopant in Ge:Mn diluted magnetic semiconductors by x-ray absorption at the Mn K edge
  
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Gunnella, R.; Morresi, L.; Pinto, N.; Di Cicco, A.; Ottaviano, L.; Passacantando, M.; Verna, A.; Impellizzeri, G.; Irrera, A.; d'Acapito, F. (literal)

Pagina inizio

• 216006 (literal)

Pagina fine

• 216006 (literal)

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• 22 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• 1. Univ Camerino, Dipartimento Fis, CNISM, I-62032 Camerino, Italy 2. Univ Aquila, Dipartimento Fis, I-67010 Coppito, Italy 3. Univ Catania, MATIS INFM, I-95123 Catania, Italy 4. Univ Catania, Dipartimento Fis & Astron, I-95123 Catania, Italy 5. CNR INFM OGG, F-38043 Grenoble, France (literal)

Titolo

• Localization of the dopant in Ge:Mn diluted magnetic semiconductors by x-ray absorption at the Mn K edge (literal)

Abstract

• A unitary picture of the structural properties of MnxGe1-x diluted alloys fabricated by either ion implantation or molecular beam epitaxy (MBE), at various growth temperatures (from 80 to about 623 K) and few per cent concentrations, is proposed. Analysis is based on synchrotron radiation x-ray absorption spectroscopy at the Mn K edge. When the growth temperature exceeds 330 K, the MBE samples show a high number of precipitated ferromagnetic nanoparticles, mainly Mn5Ge3, nucleated from the previous occupation of interstitial tetrahedral sites. Efficient substitution is observed in the case of MBE samples made by alternate layers of GeMn alloys grown at T <= 433 K and undoped Ge thick layers. Similar good dilution properties are obtained by implanting Mn ions at low temperatures (80 K). Possible precursors to preferential mechanisms in the alloy formation are discussed on the basis of the present comparative study. (literal)

Prodotto di

• MD.P04.007.001 Sviluppo di strumentazione e di metodologie sperimentali avanzate per lo studio delle proprieta strutturali dei materiali con raggi X da sincrotrone (MD.P04.007.002) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• MD.P05.006.001 Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.002) (Modulo)

Autore CNR

• GIULIANA IMPELLIZZERI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO D'ACAPITO (Persona)
• ALESSIA IRRERA (Persona)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• MD.P05.006.001 Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.002) (Modulo)
• MD.P04.007.001 Sviluppo di strumentazione e di metodologie sperimentali avanzate per lo studio delle proprieta strutturali dei materiali con raggi X da sincrotrone (MD.P04.007.002) (Modulo)

Autore CNR di

• ALESSIA IRRERA (Persona)
• FRANCESCO D'ACAPITO (Persona)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Unità di personale interno)