Location of holes in silicon-rich oxide as memory states (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Location of holes in silicon-rich oxide as memory states (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.1520340 (literal)

Alternative label

• Crupi I, Lombardo S, Rimini E, Gerardi C, Fazio B, Melanotte M (2002)
  Location of holes in silicon-rich oxide as memory states
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Crupi I, Lombardo S, Rimini E, Gerardi C, Fazio B, Melanotte M (literal)

Pagina inizio

• 3591 (literal)

Pagina fine

• 3593 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 81 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto

• E' stata studiata la possibilità di utilizzare i cambiamenti nella tensione di banda piatta, dovuti alle lacune localizzate in uno strato di silicon-rich oxide (SRO) tra due strati sottili di SiO2, per fabbricare una cella di memoria a due stati. Il principio di funzionamento è basato sulle lacune che rimangono intrappolate permanentemente nello strato SRO e possono essere reversibilmente spostate su e giù, vicino al metallo o al semiconduttore, per ottenere i due stati logici della memoria. Il concetto è stato verificato mediante opportuni esperimenti su strutture MOS. Il dispositivo esibisce un'eccellente capacità di ritenere l'informazione, grazie alla bassa mobilità delle lacune a bassi campi elettrici nello strato di SRO. Il dispositivo funziona con tempi di refresh molto più lunghi rispetto alle convenzionali dynamic random access memory cells. (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1 Department of Physics and INFM, University of Catania, Corso Italia 57, 95129 Catania, Italy 2,3 CNR-IMM, Stradale Primsole 50, 95121 Catania, Italy 4,6 C.R&D, STMicroelectronics, Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy 5 Istituto per i Processi Chimico-Fisici sez. Messina - C.N.R. (literal)

Titolo

• Location of holes in silicon-rich oxide as memory states (literal)

Abstract

• The induced changes of the flatband voltage by the location of holes in a silicon-rich oxide (SRO) film sandwiched between two thin SiO2 layers used as gate dielectric in a metal–oxide semiconductor (MOS) capacitors can be used as the two states of a memory cell. The principle of operation is based on holes permanently trapped in the SRO layer and reversibly moved up and down, close to the metal and the semiconductor, in order to obtain the two logic states of the memory. The concept has been verified by suitable experiments on MOS structures. The device exhibits an excellent endurance behavior and, due to the low mobility of the holes at low field in the SRO layer, a much longer refresh time compared to conventional dynamic random access memory cells. (literal)

Prodotto di

• Istituto per i processi chimico-fisici (IPCF) (Istituto)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• BARBARA FAZIO (Unità di personale interno)
• SALVATORE LOMBARDO (Persona)
• ISODIANA CRUPI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Location of holes in silicon-rich oxide as memory states" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto per i processi chimico-fisici (IPCF) (Istituto)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR di

• BARBARA FAZIO (Unità di personale interno)
• ISODIANA CRUPI (Unità di personale interno)
• SALVATORE LOMBARDO (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Location of holes in silicon-rich oxide as memory states" (Insieme di parole chiave)