Fluorine counter doping effect in B-doped Si (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Fluorine counter doping effect in B-doped Si (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2790373 (literal)

Alternative label

• Impellizzeri, G; Mirabella, S; Piro, AM; Grimaldi, MG; Priolo, F; Giannazzo, F; Raineri, V; Napolitani, E; Carnera, A (2007)
  Fluorine counter doping effect in B-doped Si
  in Applied physics letters; AIP, American institute of physics, Melville, NY (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Impellizzeri, G; Mirabella, S; Piro, AM; Grimaldi, MG; Priolo, F; Giannazzo, F; Raineri, V; Napolitani, E; Carnera, A (literal)

Pagina inizio

• 132101 (literal)

Pagina fine

• 132101 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 91 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Catania Univ, Dipartimento Fis Astron, MATIS, CNR,INFM, I-95123 Catania, Italy; CNR, IMM, Sezione Catania, I-95121 Catania, Italy; Univ Padua, Dipartimento Fis, MATIS, CNR,INFM, I-35131 Padua, Italy (literal)

Titolo

• Fluorine counter doping effect in B-doped Si (literal)

Abstract

• We investigated the effect of F on the electrical activity of B-doped junctions in preamorphized Si. It is shown that while the carrier dose introduced by B is reduced in the presence of F, no indication of B-F complexes formation can be found and B maintains its full substitutionality. Investigations on F-enriched crystalline Si demonstrated and quantified the n-type doping of F. These results clarify that the loss of holes in junctions coimplanted with B and F is not due to a chemical interaction between B and F, but simply to a dopant compensation effect. (c) 2007 American Institute of Physics. (literal)

Editore

• AIP, American institute of physics (Editore)

Prodotto di

• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)

Autore CNR

• SALVATORE MIRABELLA (Unità di personale interno)
• ENRICO NAPOLITANI (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Fluorine counter doping effect in B-doped Si" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)
• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)

Autore CNR di

• SALVATORE MIRABELLA (Unità di personale interno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• ENRICO NAPOLITANI (Persona)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Unità di personale interno)

Editore di

• AIP, American institute of physics (Editore)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Fluorine counter doping effect in B-doped Si" (Insieme di parole chiave)