Effects of heating ramp rates on the characteristics of AI implanted 4H-SiC junctions (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Effects of heating ramp rates on the characteristics of AI implanted 4H-SiC junctions (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2196233 (literal)

Alternative label

• Poggi A; Bergamini F; Nipoti R; Solmi S; Canino M; Carnera A (2006)
  Effects of heating ramp rates on the characteristics of AI implanted 4H-SiC junctions
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Poggi A; Bergamini F; Nipoti R; Solmi S; Canino M; Carnera A (literal)

Pagina inizio

• 162106 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 88 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)
• Scopu (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR, IMM, Sez Bologna, I-40129 Bologna, Italy; Univ Bologna, Dipartimento Fis, I-40126 Bologna, Italy; Univ Padua, Dipartimento Fis, I-35131 Padua, Italy; INFM, I-35131 Padua, Italy (literal)

Titolo

• Effects of heating ramp rates on the characteristics of AI implanted 4H-SiC junctions (literal)

Abstract

• The role of the heating rate in the postimplantation annealing process of SiC was investigated. Structural and electrical properties of an Al+ implanted junction in n-type 4H-SiC were studied for a 30 min annealing at 1600 degrees C in argon atmosphere and changing the heating rate between 7 and 40 degrees C/s. With the increasing of the heating rate the surface roughness increases, but the electrical performance of the devices improves. In particular, the faster ramp-up rate reduces the sheet resistance of the implanted layer of about 40% with respect to the slowest process and significantly reduces the leakage current of the diodes. (c) 2006 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003) (Modulo)

Autore CNR

• FABIO BERGAMINI (Unità di personale esterno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• ALBERTO CARNERA (Persona)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Effects of heating ramp rates on the characteristics of AI implanted 4H-SiC junctions" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003) (Modulo)

Autore CNR di

• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FABIO BERGAMINI (Unità di personale esterno)
• ALBERTO CARNERA (Persona)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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