Depth resolved study of impurity sites in low energy ion implanted As in Si (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Depth resolved study of impurity sites in low energy ion implanted As in Si (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

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• 10.1063/1.2770868 (literal)

Alternative label

• d'Acapito, F; Milita, S; Satta, A; Colombo, L (2007)
  Depth resolved study of impurity sites in low energy ion implanted As in Si
  in Journal of applied physics
  (literal)

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• d'Acapito, F; Milita, S; Satta, A; Colombo, L (literal)

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• 43524 (literal)

Pagina fine

• 43524 (literal)

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• This paper has been selected to be published in the ESRF highlights 2007 (literal)

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• 102 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• CNR, INFM, OGG, F-38043 Grenoble, France; CNR, IMM SLACS, I-40129 Bologna, Italy; Univ Cagliari, Cittadella Univ, CNR, INFM SLACS, I-09042 Monserrato, Italy; Univ Cagliari, Cittadella Univ, CNR, Dept Phys, I-09042 Monserrato, Italy (literal)

Titolo

• Depth resolved study of impurity sites in low energy ion implanted As in Si (literal)

Abstract

• An extended x-ray absorption fine structure investigation in depth-resolved mode allows us to identify the different sites of the arsenic along its concentration profile in shallow junctions, obtained by low energy arsenic implantation of silicon. In the deeper part of the sample, arsenic mainly occupies substitutional sites and vacancy-arsenic complexes are evidenced, whereas in the region close to the surface a mixed phase of arsenic aggregates and arsenic impurities is present. First principles calculations supporting the observations are presented. (c) 2007 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Teoria e modeling computazionale di materiali e processi per le nanoscienze (MD.P06.014.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di strumentazione e di metodologie sperimentali avanzate per lo studio delle proprieta strutturali dei materiali con raggi X da sincrotrone (MD.P04.007.001) (Modulo)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)
• Teoria, simulazione e progetto assistito dal calcolatore di materiali nanostrutturati (MD.P06.025.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO D'ACAPITO (Persona)
• ALESSANDRA SATTA (Unità di personale interno)
• SILVIA MILITA (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Depth resolved study of impurity sites in low energy ion implanted As in Si" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• SILVIA MILITA (Persona)
• FRANCESCO D'ACAPITO (Persona)
• ALESSANDRA SATTA (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)
• Teoria e modeling computazionale di materiali e processi per le nanoscienze (MD.P06.014.001) (Modulo)
• Teoria, simulazione e progetto assistito dal calcolatore di materiali nanostrutturati (MD.P06.025.001) (Modulo)
• Sviluppo di strumentazione e di metodologie sperimentali avanzate per lo studio delle proprieta strutturali dei materiali con raggi X da sincrotrone (MD.P04.007.001) (Modulo)

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• Journal of applied physics (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Depth resolved study of impurity sites in low energy ion implanted As in Si" (Insieme di parole chiave)