Photonic band gaps analysis of Thue-Morse multilayers made of porous silicon (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Photonic band gaps analysis of Thue-Morse multilayers made of porous silicon (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1364/OE.14.006264 (literal)

Alternative label

• Moretti, L; Rea, I; Rotiroti, L; Rendina, I; Abbate, G; Marino, A; De Stefano, L (2006)
  Photonic band gaps analysis of Thue-Morse multilayers made of porous silicon
  in Optics express
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Moretti, L; Rea, I; Rotiroti, L; Rendina, I; Abbate, G; Marino, A; De Stefano, L (literal)

Pagina inizio

• 6264 (literal)

Pagina fine

• 6272 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 14 (literal)

Rivista

• Optics express (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Univ Mediterranea Reggio Calabria, DIMET, I-89060 Reggio Di Calabria, Italy; CNR, Dept Naples, Inst Microelect & Microsyst, I-80131 Naples, Italy; Univ Naples Federico II, Dept Phys Sci, I-80126 Naples, Italy; Univ Naples Federico II, INFM Coherentia, I-80126 Naples, Italy (literal)

Titolo

• Photonic band gaps analysis of Thue-Morse multilayers made of porous silicon (literal)

Abstract

• Dielectric aperiodic Thue-Morse structures up to 128 layers have been fabricated by using porous silicon technology. The photonic band gap properties of Thue-Morse multilayers have been theoretically investigated by means of the transfer matrix method and the integrated density of states. The theoretical approach has been compared and discussed with the reflectivity measurements at variable angles for both the transverse electric and transverse magnetic polarizations of light. The photonic band gap regions, wide 70 nm and 90 nm, included between 0 and 30, have been observed for the sixth and seventh orders, respectively. (literal)

Prodotto di

• Microsistemi optoelettronici in silicio e tecnologie compatibili (MD.P05.014.001) (Modulo)
• Soft Materials nano strutturati per fotonica, modelli teorici, tecniche ottiche di dispositivi e sistemi per applicazioni (MD.P01.015.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Microsensori e sistemi di sensing ottici (MD.P05.014.002) (Modulo)

Autore CNR

• LUIGI MORETTI (Unità di personale esterno)
• IVO RENDINA (Unità di personale interno)
• ILARIA REA (Persona)
• LUCA DE STEFANO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Photonic band gaps analysis of Thue-Morse multilayers made of porous silicon" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Microsistemi optoelettronici in silicio e tecnologie compatibili (MD.P05.014.001) (Modulo)
• Microsensori e sistemi di sensing ottici (MD.P05.014.002) (Modulo)
• Soft Materials nano strutturati per fotonica, modelli teorici, tecniche ottiche di dispositivi e sistemi per applicazioni (MD.P01.015.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ILARIA REA (Persona)
• LUIGI MORETTI (Unità di personale esterno)
• IVO RENDINA (Unità di personale interno)
• LUCA DE STEFANO (Unità di personale interno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Optics express (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Photonic band gaps analysis of Thue-Morse multilayers made of porous silicon" (Insieme di parole chiave)