Dopant regions imaging in scanning electron microscopy (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Dopant regions imaging in scanning electron microscopy (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2176385 (literal)

Alternative label

• Morandi, V; Merli, PG; Ferroni, M (2006)
  Dopant regions imaging in scanning electron microscopy
  in Journal of applied physics; AIP, American institute of physics, Melville, NY (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Morandi, V; Merli, PG; Ferroni, M (literal)

Pagina inizio

• 43512 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 99 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 7 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)
• Google Scholar (literal)
• Scopu (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR, IMM, Sez Bologna, I-40129 Bologna, Italy; Univ Brescia, INFM, Sensor Lab, Dipartimento Chim Fis Ingn Mat, I-25133 Brescia, Italy (literal)

Titolo

• Dopant regions imaging in scanning electron microscopy (literal)

Abstract

• An approach to the dopant profiling in bulk specimens with the scanning electron microscope is presented. It will be shown that it is possible to use backscattered electrons, or secondary electrons produced by backscattered electrons, to obtain two dimensional information about the dopant spatial distribution in Sb-implanted silicon. The role of sample preparation, boundary condition, beam energy, and detection strategy will be extensively discussed. Experimental observation and numerical simulation highlight the capability to achieve the sensitivity and spatial resolution required to describe the dopant distribution in the high-dose near-surface region of ultrashallow junctions. (c) 2006 American Institute of Physics. (literal)

Editore

• AIP, American institute of physics (Editore)

Prodotto di

• Materiali nanostrutturati di ossidi metallici e altri semicondutttori per la sensoristica e applicazioni avanzate (MD.P05.015.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)

Autore CNR

• VITTORIO MORANDI (Persona)
• PIER GIORGIO MERLI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Dopant regions imaging in scanning electron microscopy" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)
• Materiali nanostrutturati di ossidi metallici e altri semicondutttori per la sensoristica e applicazioni avanzate (MD.P05.015.001) (Modulo)

Autore CNR di

• VITTORIO MORANDI (Persona)
• PIER GIORGIO MERLI (Persona)

Editore di

• AIP, American institute of physics (Editore)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of applied physics (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Dopant regions imaging in scanning electron microscopy" (Insieme di parole chiave)