Drift mobility in quantum nanostructures by scanning probe microscopy (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Drift mobility in quantum nanostructures by scanning probe microscopy (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2168502 (literal)

Alternative label

• Giannazzo, F; Raineri, V; Mirabella, S; Impellizzeri, G; Priolo, F (2006)
  Drift mobility in quantum nanostructures by scanning probe microscopy
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Giannazzo, F; Raineri, V; Mirabella, S; Impellizzeri, G; Priolo, F (literal)

Pagina inizio

• 43117 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 88 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR, IMM, Sez Catania, I-95121 Catania, Italy; Catania Univ, MATIS, CNR, INFM, I-95123 Catania, Italy; Catania Univ, Dipartimento Fis & Astron, I-95123 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Drift mobility in quantum nanostructures by scanning probe microscopy (literal)

Abstract

• We used scanning capacitance microscopy (SCM) and scanning spreading resistance microscopy (SSRM) to determine the drift hole mobility in nanometer thick Si/Si0.75Ge0.25/Si quantum wells (QWs), from the carrier concentration profiles (obtained by SCM) and the local resistivity values (obtained by SSRM). A relevant decrease of the hole mobility at room temperature was observed when reducing the QW width from 10 nm down to 1 nm. This effect has been explained in terms of the increasing role of surface scattering at the Si/SiGe interface for lower QW widths. (literal)

Prodotto di

• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)
• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)

Autore CNR

• GIULIANA IMPELLIZZERI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• SALVATORE MIRABELLA (Unità di personale interno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Drift mobility in quantum nanostructures by scanning probe microscopy" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• VITO RAINERI (Persona)
• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• SALVATORE MIRABELLA (Unità di personale interno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)
• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Drift mobility in quantum nanostructures by scanning probe microscopy" (Insieme di parole chiave)