Growth of 3C Silicon Carbide on Silicon by MOCVD I (Rapporti tecnici, manuali, carte geologiche e tematiche e prodotti multimediali)

Type
Label
  • Growth of 3C Silicon Carbide on Silicon by MOCVD I (Rapporti tecnici, manuali, carte geologiche e tematiche e prodotti multimediali) (literal)
Anno
  • 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Attolini G., Bosi M., Watts B.E., Leccabue F., Besagni T., Salviati G., Ferrari C., Frigeri C., Rossi F., Kaciulis R., Pandolfi L. (2006)
    Growth of 3C Silicon Carbide on Silicon by MOCVD I
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Attolini G., Bosi M., Watts B.E., Leccabue F., Besagni T., Salviati G., Ferrari C., Frigeri C., Rossi F., Kaciulis R., Pandolfi L. (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#supporto
  • Memorie interne (literal)
Titolo
  • Growth of 3C Silicon Carbide on Silicon by MOCVD I (literal)
Prodotto di
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