Influenza della tecnologia di preparazione di HEMT a GaN sulla presenza di stati di interfaccia al gate e nelle regioni di accesso del dispositivo (Rapporti tecnici, manuali, carte geologiche e tematiche e prodotti multimediali)

Type

• Rapporti tecnici, manuali, carte geologiche e tematiche e prodotti multimediali (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Influenza della tecnologia di preparazione di HEMT a GaN sulla presenza di stati di interfaccia al gate e nelle regioni di accesso del dispositivo (Rapporti tecnici, manuali, carte geologiche e tematiche e prodotti multimediali) (literal)

Anno

• 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Mosca R. , Gombia E. (2003)
  Influenza della tecnologia di preparazione di HEMT a GaN sulla presenza di stati di interfaccia al gate e nelle regioni di accesso del dispositivo
  
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Mosca R. , Gombia E. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#supporto

• Altro (literal)

Titolo

• Influenza della tecnologia di preparazione di HEMT a GaN sulla presenza di stati di interfaccia al gate e nelle regioni di accesso del dispositivo (literal)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• ENOS GOMBIA (Unità di personale interno)
• ROBERTO MOSCA (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• ROBERTO MOSCA (Unità di personale interno)
• ENOS GOMBIA (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)