Fabbricazione di MOSFET ad elevata mobilità su 4H-SiC (Risultati di valorizzazione applicativa)

Type

• Risultati di valorizzazione applicativa (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Fabbricazione di MOSFET ad elevata mobilità su 4H-SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• FRANCESCO MOSCATELLI;ROBERTA NIPOTI;ANTONELLA POGGI;SANDRO SOLMI; (2007)
  Fabbricazione di MOSFET ad elevata mobilità su 4H-SiC
  
  (literal)

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• FRANCESCO MOSCATELLI;ROBERTA NIPOTI;ANTONELLA POGGI;SANDRO SOLMI; (literal)

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• Il processo prevede l'impianto di azoto in condizioni da amorfizzare un sottile strato superficiale del semiconduttore ottenendo in questo modo, oltre al miglioramento della mobilità, un forte aumento della cinetica di ossidazione ed una conseguente riduzione del tempo di processo. Il processo per la realizzazione del gate è stato brevettato nel 2006. (literal)

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• CNR-IMM (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#riferimentiUtilizzatori

• Industria elettronica per dispositivi di potenza e/o alta temperatura. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• L'attività è stata sviluppata nell'ambito di un contratto IMM-STMicroelectronics mirato allo studio di dispositivi elettronici realizzati su semiconduttori a larga banda. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM Bologna (literal)

Titolo

• Fabbricazione di MOSFET ad elevata mobilità su 4H-SiC (literal)

Descrizione sintetica

• Dispositivi MOSFET fabbricati su 4H SiC con un processo innovativo basato su un impianto di azoto nella regione di canale prima dell'ossidazione di gate. La presenza dell'azoto all'interfaccia ossido-SiC riduce sensibilmente la densità di stati interfacciali ed aumenta conseguentemente la mobilità degli elettroni nel canale. (literal)

Prodotto di

• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Fabbricazione di MOSFET ad elevata mobilità su 4H-SiC" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Autore CNR di

• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Fabbricazione di MOSFET ad elevata mobilità su 4H-SiC" (Insieme di parole chiave)