Diodi Schottky di potenza (600 V / 4-8 A) in SiC (Risultati di valorizzazione applicativa)

Type
Label
  • Diodi Schottky di potenza (600 V / 4-8 A) in SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (literal)
Anno
  • 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Raineri V, Roccaforte F, La Via F (2004)
    Diodi Schottky di potenza (600 V / 4-8 A) in SiC
    (literal)
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  • Raineri V, Roccaforte F, La Via F (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#proprieta
  • Ron < 1milliohmn rottura > 600 V (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#riferimentiUtilizzatori
  • Il processo è stato trasferito alla STMicroelectronics che oggi produce e vende tali dispsositivi ed a partire da quanto trasferito ha sviluppato una famiglia di prodotti (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note
  • Si tratta di un prodotto sviluppato interamente in Italia con tecnologie e competenze italiane in un settore con una difficile competizione internazionale e che ha permesso all'Italia di rimanere competitiva su tali dispositivi. (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • CNR-IMM (literal)
Titolo
  • Diodi Schottky di potenza (600 V / 4-8 A) in SiC (literal)
Descrizione sintetica
  • Diodi Schottky di potenza con particolari caratteristiche di affidabilità, bassa Vf e leakage particolarmente basso in grado di competere con le soluzioni proposte da industrie concorrenti di altri paesi. (literal)
Prodotto di
Autore CNR

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