Tecnologia di crescita localizzata mediante CCVD di SWCNTs orizzontali sospesi tra elettrodi (Progetti)

Type
Label
  • Tecnologia di crescita localizzata mediante CCVD di SWCNTs orizzontali sospesi tra elettrodi (Progetti) (literal)
Anno
  • 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Rizzoli R., Angelucci R., Veronese G.P., Maselli L. (2007)
    Tecnologia di crescita localizzata mediante CCVD di SWCNTs orizzontali sospesi tra elettrodi
    (literal)
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  • Rizzoli R., Angelucci R., Veronese G.P., Maselli L. (literal)
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  • IMM Bologna (literal)
Titolo
  • Tecnologia di crescita localizzata mediante CCVD di SWCNTs orizzontali sospesi tra elettrodi (literal)
Descrizione sintetica
  • Nel corso del 2007 si è ottimizzato il processo di crescita mediante CVD catalizzata, già sviluppato presso IMM-Bologna nell'ambito di un contratto con STMicroelectronics Catania e Napoli e del progetto europeo CANAPE, per la crescita di nanotubi di carbonio a parete singola (SWCNTs), sospesi tra elettrodi di polisilicio drogato sia di tipo p+ che di tipo n+. Si è migliorato il contatto SWNTs/poly-Si e si sono fabbricate nanostrutture con SWNTs sospesi tra elettrodi di poly-Si drogato, su cui si sono effettuate le prime misure elettriche al fine di studiare i contatti CNT/poly-Si, CNT/metallo. La tecnologia messa a punto permetterà di sviluppare i primi dispositivi nanoelettronici basati su nanotubi cresciuti orizzontalmente sugli elettrodi. (literal)
Prodotto di
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