http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID145369
Procedimento per la fabbricazione di disposizione ad effetto di campo a film sottile privi di substrato e transistore a film sottile organico ottenibile mediante tale procedimento / A method of fabricating substrateless thin film field-effect dev (Brevetto)
- Type
- Label
- Procedimento per la fabbricazione di disposizione ad effetto di campo a film sottile privi di substrato e transistore a film sottile organico ottenibile mediante tale procedimento / A method of fabricating substrateless thin film field-effect dev (Brevetto) (literal)
- Anno
- 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
- Titolo
- Procedimento per la fabbricazione di disposizione ad effetto di campo a film sottile privi di substrato e transistore a film sottile organico ottenibile mediante tale procedimento / A method of fabricating substrateless thin film field-effect dev (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Bonfiglio A. and O. Sanna (literal)
- Numero brevetto
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note
- N° deposito italiano: TO2003A000145 del giorno 28/02/2003, concesso n. 1343884 il 12/02/08
N° deposito USA: US 7445954 concesso il 4/11/2008 (da WO2004077500 del 27/02/2004)
(literal)
- Anno di deposito
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- CNR NANO - S3 Modena già CNR -INFM Centro S3 (literal)
- Titolo
- Procedimento per la fabbricazione di disposizione ad effetto di campo a film sottile privi di substrato e transistore a film sottile organico ottenibile mediante tale procedimento / A method of fabricating substrateless thin film field-effect dev (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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