Self-planarizing process for shallow trench isolation (Brevetto)

Type
Label
  • Self-planarizing process for shallow trench isolation (Brevetto) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Fazio B. , Currò G. , Nastasi N. (2003)
    Self-planarizing process for shallow trench isolation
    (literal)
Titolo
  • Self-planarizing process for shallow trench isolation (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Fazio B. , Currò G. , Nastasi N. (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/brevetti.owl#ricaduteEconomicheOccupazionali
  • Ricadute economiche (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/brevetti.owl#settoreMerceologicoISTAT
  • Ricerca e sviluppo industriale (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#proprieta
  • STMicroelectronics (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/brevetti.owl#tipoDiBrevetto
  • Internazionale (literal)
Numero brevetto
  • United States Patent 6,573,152 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
  • Flusso di processo semplificato per la realizzaione di strutture di isolamento delle aree attive (STI) nei dispositivi microelettrronici. (literal)
Anno di deposito
  • 2003 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • 1 CNR - IPCF sezione Messina 2 STMicroelectronics 3 STMicroelectronics (literal)
Titolo
  • Self-planarizing process for shallow trench isolation (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/brevetti.owl#trasferimentoBrevetto
  • trasferimento effettivo (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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