High-performance directly modulated 1.3-mu m undoped InAs-InGaAs quantum-dot lasers (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• High-performance directly modulated 1.3-mu m undoped InAs-InGaAs quantum-dot lasers (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1109/LPT.2006.890045 (literal)

Alternative label

• Maria Teresa Todaro; Abdelmajid Salhi; Laura Fortunato; Roberto Cingolani; Adriana Passaseo; Massimo De Vittorio; Pietro Della Casa; Filippo Ghiglieno; Livio Bianco (2007)
  High-performance directly modulated 1.3-mu m undoped InAs-InGaAs quantum-dot lasers
  in IEEE photonics technology letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Maria Teresa Todaro; Abdelmajid Salhi; Laura Fortunato; Roberto Cingolani; Adriana Passaseo; Massimo De Vittorio; Pietro Della Casa; Filippo Ghiglieno; Livio Bianco (literal)

Pagina inizio

• 191 (literal)

Pagina fine

• 193 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 19 (literal)

Rivista

• IEEE photonics technology letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR INFM, Distretto Tecnol ISUFI, I-73100 Lecce, Italy (M.T. Todaro; A. Salhi; L. Fortunato; R. Cingolani; A. Passaseo; M. De Vittorio); Avago Technol Italy SRL, I-10148 Turin, Italy (P. Della Casa; F. Ghiglieno; L. Bianco) (literal)

Titolo

• High-performance directly modulated 1.3-mu m undoped InAs-InGaAs quantum-dot lasers (literal)

Abstract

• In this letter, we report on experimental results of directly modulated single-transverse mode 1.3-mu m InAs-InGaAs quantum-dot (QD) lasers in a wide temperature range. A 3.125-Gb/s data modulation over temperature with an extinction ratio up to 10 dB is reported. Moreover, 10-Gb/s eye patterns at 15 degrees C and 50 degrees C and 5-Gb/s modulation in the whole explored temperature range (15 degrees C-85 degrees C) are demonstrated. These results were obtained by exploiting heterostructures containing six layers of high modal gain InAs QDs grown without incorporation of p-doping in the active region or tunnelling injection structure implementation. QD lasers exhibited a saturation modal gain as high as 36.3 cm(-1), ground state lasing from short cavities down to 400-mu m length and a characteristic temperature of about 110 K in a large temperature range between 15 degrees C and 85 degrees C. (literal)

Prodotto di

• Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028.001) (Modulo)

Autore CNR

• ROBERTO CINGOLANI (Unità di personale esterno)
• ADRIANA GRAZIA PASSASEO (Unità di personale interno)
• MASSIMO DE VITTORIO (Persona)
• MARIA TERESA TODARO (Unità di personale interno)
• ABDELMAJID SALHI (Unità di personale interno)
• LAURA FORTUNATO (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "High-performance directly modulated 1.3-mu m undoped InAs-InGaAs quantum-dot lasers" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ADRIANA GRAZIA PASSASEO (Unità di personale interno)
• ABDELMAJID SALHI (Unità di personale interno)
• MARIA TERESA TODARO (Unità di personale interno)
• ROBERTO CINGOLANI (Unità di personale esterno)
• MASSIMO DE VITTORIO (Persona)
• LAURA FORTUNATO (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028.001) (Modulo)

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• IEEE photonics technology letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "High-performance directly modulated 1.3-mu m undoped InAs-InGaAs quantum-dot lasers" (Insieme di parole chiave)