Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process (Abstract/Poster in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Abstract/Poster in atti di convegno (Classe)

Label

• Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process (Abstract/Poster in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Canino M, .Giannazzo F., Roccaforte F., Poggi A., Solmi S., Nipoti R. (2006)
  Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process
  in ECSCRM (European Conference on Silicon Carbide and Related Materials), Newcastle upon Tyne, UK
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Canino M, .Giannazzo F., Roccaforte F., Poggi A., Solmi S., Nipoti R. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto

• The surface morphology and the electrical activation of P+ implanted 4H-SiC were investigated with respect to annealing treatments that differ only for the heating rate. The computed as-implanted P profile was 250 nm thick with a concentration of 1×1020 cm-3. Atomic Force Microscopy (AFM) micrographs pointed out that the surface roughness of the samples annealed at 1400 °C increases with increasing heating rate and that the critical temperature for surface roughening is above 1100 °C. Independently on the annealing cycle, Scanning Capacitance Microscopy (SCM) measurements showed that the P profiles are uniform over the implantation thickness and have plateau concentration around 9×1018 cm-3 in all the implanted samples. The fraction of P atoms activated as donors is 13% of the total implanted fluence. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMM-CNR (literal)

Titolo

• Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process (literal)

Prodotto di

• Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• MARIA CONCETTA CANINO (Persona)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• MARIA CONCETTA CANINO (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003) (Modulo)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process" (Insieme di parole chiave)