Excimer laser annealing for shallow junction formation in Si Power MOS devices (Comunicazione a convegno)

Type
Label
  • Excimer laser annealing for shallow junction formation in Si Power MOS devices (Comunicazione a convegno) (literal)
Anno
  • 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Fortunato G, Privitera V, La Magna A, Mariucci L, Cuscuna M, Svensson BG, Monakhov E, Camalleri M, Magri A, Salinas D, Simon F (2005)
    Excimer laser annealing for shallow junction formation in Si Power MOS devices
    in International Conference on Materials for Advanced Technologies 2005 (ICMAT 2005), Singapore
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Fortunato G, Privitera V, La Magna A, Mariucci L, Cuscuna M, Svensson BG, Monakhov E, Camalleri M, Magri A, Salinas D, Simon F (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • IFN-CNR; IMM-CNR Catania; STMicroelectronics Catania (literal)
Titolo
  • Excimer laser annealing for shallow junction formation in Si Power MOS devices (literal)
Prodotto di
Autore CNR

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Prodotto
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