He+ ion dmage in 4H-SiC stidied by charge colletion efficiency measurements (Comunicazione a convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Comunicazione a convegno (Classe)

Label

• He+ ion dmage in 4H-SiC stidied by charge colletion efficiency measurements (Comunicazione a convegno) (literal)

Anno

• 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Nipoti R., Donolato C. (2003)
  He+ ion dmage in 4H-SiC stidied by charge colletion efficiency measurements
  in MRS Fall Meeting, Boston
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Nipoti R., Donolato C. (literal)

Titolo

• He+ ion dmage in 4H-SiC stidied by charge colletion efficiency measurements (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• CESARE DONOLATO (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• CESARE DONOLATO (Persona)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)