Characterisation of 3C-SiC grown on Si substrates with different conductivity (Comunicazione a convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Comunicazione a convegno (Classe)

Label

• Characterisation of 3C-SiC grown on Si substrates with different conductivity (Comunicazione a convegno) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Frigeri C., Bosi M., Attolini G., Watts B.E. (2007)
  Characterisation of 3C-SiC grown on Si substrates with different conductivity
  in DRIP XII, 12th International Conference on defects: Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, Berlin (D)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Frigeri C., Bosi M., Attolini G., Watts B.E. (literal)

Titolo

• Characterisation of 3C-SiC grown on Si substrates with different conductivity (literal)

Prodotto di

• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• CESARE FRIGERI (Persona)
• BERNARD ENRICO WATTS (Unità di personale interno)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• MATTEO BOSI (Persona)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• BERNARD ENRICO WATTS (Unità di personale interno)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• CESARE FRIGERI (Persona)
• MATTEO BOSI (Persona)