A Novel Mechanism to Explain Wafer Bending During the Growth of SiC Films on Si (Comunicazione a convegno)

Type
Label
  • A Novel Mechanism to Explain Wafer Bending During the Growth of SiC Films on Si (Comunicazione a convegno) (literal)
Anno
  • 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Attolini G., Bosi M., Watts B.E., Frigeri C. (2007)
    A Novel Mechanism to Explain Wafer Bending During the Growth of SiC Films on Si
    in Hetero-SiC ‘07, Grenoble (F), 28-29 giugno 2007
    (literal)
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  • Attolini G., Bosi M., Watts B.E., Frigeri C. (literal)
Pagina inizio
  • 22 (literal)
Pagina fine
  • 22 (literal)
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  • abstract book (literal)
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  • CNR-IMEM Institute, Parco Area delle Scienze 37/A, 43100 Parma, Italy (literal)
Titolo
  • A Novel Mechanism to Explain Wafer Bending During the Growth of SiC Films on Si (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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