Strain characterization of semiconductor nanostructures by X-ray reciprocal space mapping technique and finite element analysis (Comunicazione a convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Comunicazione a convegno (Classe)

Label

• Strain characterization of semiconductor nanostructures by X-ray reciprocal space mapping technique and finite element analysis (Comunicazione a convegno) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Germini F. (2006)
  Strain characterization of semiconductor nanostructures by X-ray reciprocal space mapping technique and finite element analysis
  in Summerschool on Wide-bandgap Semiconductor Quantum Structures, Monte Verità (Ascona), Switzer
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Germini F. (literal)

Titolo

• Strain characterization of semiconductor nanostructures by X-ray reciprocal space mapping technique and finite element analysis (literal)

Prodotto di

• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P03.004.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• FABRIZIO GERMINI (Unità di personale esterno)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P03.004.001) (Modulo)

Autore CNR di

• FABRIZIO GERMINI (Unità di personale esterno)