Properties of InGaN layers grown by atmospheric pressure MOVPE (Comunicazione a convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Comunicazione a convegno (Classe)

Label

• Properties of InGaN layers grown by atmospheric pressure MOVPE (Comunicazione a convegno) (literal)

Anno

• 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Bosi M., Fornari R. (2003)
  Properties of InGaN layers grown by atmospheric pressure MOVPE
  in LXXXIX Congresso Nazionale della Società Italiana di Fisica, Parma
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Bosi M., Fornari R. (literal)

Titolo

• Properties of InGaN layers grown by atmospheric pressure MOVPE (literal)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• ROBERTO FORNARI (Unità di personale interno)
• MATTEO BOSI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR di

• ROBERTO FORNARI (Unità di personale interno)
• MATTEO BOSI (Unità di personale interno)