Dispositivi per iperfrequenze (MD.P05.001.002)

Type
Label
  • Dispositivi per iperfrequenze (MD.P05.001.002) (literal)
Prodotto
Codice
  • MD.P05.001.002 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Istituto esecutore
Primo anno di attività
  • 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Abstract
  • Nell'ambito della ricerca sui dispositivi per iperfrequenze, sono state sviluppate la tecnologie per la realizzazione di dispostivi HEMT basati su GaAs e GaN per applicazioni di potenza, piccoli segnali e dispositivi di switch. La fabbricazione dei dispositivi è stata messo a punto in collaborazione con Selex-SI e prevede lo sviluppando congiuntamente processi per ottenere una resa finale compatibile con le esigenze industriali. In particolare, l'utilizzo dell'Electron Beam Lithography per la definizione del contatto di gate permette la realizzazione di transistor con dimensioni del contatto inferiori a 250 nm con conseguente aumento della frequenza massima dei dispositivi. Tale attività è supportata da contratti con Selex-SI a dal progetto Europeo CEPA2 KORRIGAN. Sono stati inoltre sviluppati processi di fabbricazione di dispositivi che permettano lo studio degli strati attivi del dispositivo (eterogiunzione e gas di elettroni bidimensionali. (literal)
Nome
  • Dispositivi per iperfrequenze (literal)
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