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				<div class="content">
					<div id="navpath"><strong>http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/modulo/ID2166</strong> </div>
					<div class="scheda"><h1>Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001)</h1>
<dl><dt>Type</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/retescientifica.owl#Modulo' class = 'external' >Modulo</a> (Classe)</li></ul></dd><dt>Label</dt><dd><ul><li>Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001) (literal)</li></ul></dd><dt>Prodotto</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID25178'>2DEG based on strained Si on SGOI substrate (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID81519'>Conductance Quantization in Schottky-gated Si/SiGe Quantum Point Contacts (Contributo in atti di convegno)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID24652'>Strain-induced ordering of small Ge islands in clusters at the surface of multilayered Si-Ge nanostructures (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID24713'>Ordered growth of Ge island clusters on strain-engineered Si surfaces (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID24686'>Low field magnetotransport in strained Si/SiGe cavities (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID24908'>Conductance quantization in etched Si/SiGe quantum point contacts (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID24858'>Self-ordering of Ge islands on Si(001) by means of Si overgrowth (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID167604'>Relaxed state of GexSi1-x islands embedded in Si (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID177069'>Type-I alignment and direct fundamental gap in SiGe based heterostructures (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID24691'>X-ray-diffraction characterization of Pt(111) surface nanopatterning induced by C60 adsorption (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID3658'>Quantum-confined Stark effect in Ge/SiGe quantum wells: A tight-binding description (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID25320'>Wide Dynamic Range Terahertz Detector Pixel for active spectroscopic imaging with a Quantum Cascade Lasers (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID171107'>Conductance and valley splitting in etched Si/SiGe one-dimensional nanostructures (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID25607'>Quantum transport in low-dimensional AlGaN/GaN systems (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID202840'>\"Reduced temperature sensitivity of the polarization properties of hydrogenated InGaAsN V-groove quantum wires\" (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID202837'>\"Weak antilocalization and spin-orbit interaction in a two-dimensional electron gas\" (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID178693'>Conductance and valley splitting in etched Si/SiGe one-dimensional nanostructures (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li></ul></dd><dt>Codice</dt><dd><ul><li>MD.P06.001.001 (literal)</li></ul></dd><dt>Anno di chiusura previsto</dt><dd><ul><li>2017-01-01T00:00:00+01:00 (literal)</li></ul></dd><dt>Istituto esecutore</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/istituto/CDS036'>Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN)</a> (Istituto)</li></ul></dd><dt>Primo anno di attività</dt><dd><ul><li>2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)</li></ul></dd><dt>Abstract</dt><dd><ul><li>Obiettivo dell' attività è lo sviluppo di nanodispositivi elettronici e spintronici basati su sistemi a bassa dimensionalità ottenuti a partire da elementi del IV gruppo. In particolare si realizzeranno crescite di film con drogaggio ultra-alto e di nanofili di Ge di cui si effettuerà la caratterizzazione morfologica, elettrica e di spettroscopie elettroniche e fotoelettroniche. Si effettuerà inoltre la crescita di grafene su substrati di germanio. A partire dai materiali ottenuti si realizzeranno dispositivi elettronici con dimensioni critiche inferiori ai 1000nm fino ad esplorare dispositivi di frontiera con dimensioni al limite della litografia elettronica. (literal)</li></ul></dd><dt>Nome</dt><dd><ul><li>Nanodispositivi a semiconduttore (literal)</li></ul></dd><dt>Descrizione</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionecommessa-descrizionestatoavanzamentoattivita/MODULO-ID2166'>Descrizione dello stato di avanzamento delle attività del modulo "Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001)"</a> (Descrizione stato avanzamento attività)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionecommessa-descrizionecollaborazioni/MODULO-ID2166'>Descrizione collaborazioni del modulo "Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001)"</a> (Descrizione collaborazioni)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionemodulo-descrizionemodulo/ID2166'>Descrizione del modulo "Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001)"</a> (Descrizione modulo)</li></ul></dd><dt>Modulo di</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/commessa/ID1279'>Nanostrutture e nanodispositivi (MD.P06.001)</a> (Commessa)</li></ul></dd><dt>Gestore</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleInterno/MATRICOLA11494'>ANDREA NOTARGIACOMO</a> (Persona)</li></ul></dd>

</dl>

<br/><h4>Incoming links:</h4><br/><dl><dt>Modulo</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/commessa/ID1279'>Nanostrutture e nanodispositivi (MD.P06.001)</a> (Commessa)</li></ul></dd><dt>Istituto esecutore di</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/istituto/CDS036'>Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN)</a> (Istituto)</li></ul></dd><dt>Prodotto di</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID81519'>Conductance Quantization in Schottky-gated Si/SiGe Quantum Point Contacts (Contributo in atti di convegno)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID24686'>Low field magnetotransport in strained Si/SiGe cavities (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID24713'>Ordered growth of Ge island clusters on strain-engineered Si surfaces (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID24908'>Conductance quantization in etched Si/SiGe quantum point contacts (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID25178'>2DEG based on strained Si on SGOI substrate (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID25320'>Wide Dynamic Range Terahertz Detector Pixel for active spectroscopic imaging with a Quantum Cascade Lasers (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID24652'>Strain-induced ordering of small Ge islands in clusters at the surface of multilayered Si-Ge nanostructures (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID3658'>Quantum-confined Stark effect in Ge/SiGe quantum wells: A tight-binding description (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID24691'>X-ray-diffraction characterization of Pt(111) surface nanopatterning induced by C60 adsorption (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID24858'>Self-ordering of Ge islands on Si(001) by means of Si overgrowth (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID25607'>Quantum transport in low-dimensional AlGaN/GaN systems (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID177069'>Type-I alignment and direct fundamental gap in SiGe based heterostructures (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID178693'>Conductance and valley splitting in etched Si/SiGe one-dimensional nanostructures (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID167604'>Relaxed state of GexSi1-x islands embedded in Si (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID202837'>\"Weak antilocalization and spin-orbit interaction in a two-dimensional electron gas\" (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID202840'>\"Reduced temperature sensitivity of the polarization properties of hydrogenated InGaAsN V-groove quantum wires\" (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID171107'>Conductance and valley splitting in etched Si/SiGe one-dimensional nanostructures (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID299756'>http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID299756</a></li></ul></dd><dt>Descrizione di</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionecommessa-descrizionestatoavanzamentoattivita/MODULO-ID2166'>Descrizione dello stato di avanzamento delle attività del modulo "Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001)"</a> (Descrizione stato avanzamento attività)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionecommessa-descrizionecollaborazioni/MODULO-ID2166'>Descrizione collaborazioni del modulo "Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001)"</a> (Descrizione collaborazioni)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionemodulo-descrizionemodulo/ID2166'>Descrizione del modulo "Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001)"</a> (Descrizione modulo)</li></ul></dd><dt>Gestore di</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleInterno/MATRICOLA11494'>ANDREA NOTARGIACOMO</a> (Persona)</li></ul></dd>

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