Keywords of "Investigation of interface abruptness in strained InAs/In0.53Ga0.47As quantum wells"
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- Investigation of interface abruptness in strained InAs/In0.53Ga0.47As quantum wells (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- gallium arsenide (Parola chiave)
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