Descrizione del modulo "Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001)"

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  • Descrizione del modulo "Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001)" (literal)
Potenziale impiego per bisogni individuali e collettivi
  • I nanodispositivi basati su germanio potranno far parte di dispositivi innovativi e veloci di uso quotidiano quali personal computer e smartphone, nonché alla base di sistemi di telecomunicazioni veloci. (literal)
Tematiche di ricerca
  • Drogaggio ultra-alto in germanio. Nanofili di germanio. Crescita di grafene su germanio. (literal)
Competenze
  • Competenze tecnologiche di nanofabbricazione e nanolitografia a fascio elettronico. Definizione di strutture di confinamento e posizionamento nanometrico di elettrodi metallici. Dual Beam FIB. Microscopie AFM, SEM e TEM Misure criogeniche Sistemi di crescita CVD di semiconduttori. (literal)
Potenziale impiego per processi produttivi
  • I nanodispositivi basati su germanio sono potenziali candidati per utilizzo come dispositivi quantici ed optoelettronici integrabili nella tecnologia del silicio (literal)
Tecnologie
  • Litografia elettronica (EBL) avente risoluzione di 20nm su larga area Tecnologie dei film sottili Focus Ion Beam machining e diagnostica (literal)
Obiettivi
  • Crescita e caratterizzazione di nanofili di Ge e di eterostrutture Ge/Si ad alti drogaggi. Fabbricazione e studio del trasporto quantico di micro e nano- dispositivi su Ge/Si e in nanofili di Ge Crescita e caratterizzazione di grafene su Ge (literal)
Stato dell'arte
  • Il germanio è un promettente candidato come piattaforma su cui integrare future applicazioni optoelettroniche (tra cui dispositivi ad alta mobilità, rivelatori, laser). Tuttavia alti livelli di drogaggio in germanio necessari non sono attualmente film di grande spessore non sono attualmente ottenibili con facilità e in maniera controllabile. I nanofili di Ge presentano interessanti proprietà quali l'alta mobilità e le spiccate proprietà piroelettriche. Anche nel caso dei nanofili l'ottenimento di alti livelli di drogante e i meccanismi del suo incorporamento sono oggetto di studio ma permangono problematiche non completamente risolte. La crescita e caratterizzazione di grafene su germanio è attualmente un campo di ricerca pionieristico che è ancora in una fase preliminare e puo' presentare futuri sviluppi di grande interesse in applicazioni in elettronica, fotonica ed optoelettronica. (literal)
Tecniche di indagine
  • Studio delle proprietà di trasporto dei dispositivi utilizzando caratterizzazioni di conduttanza differenziale lineare e non lineare. Misure in campo magnetico Misure criogeniche Caratterizzazione mediante microscopie AFM, SEM e TEM. Diagnostica mediante Dual Beam FIB. (literal)
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