Descrizione collaborazioni della commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni (MD.P05.003)"

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  • Descrizione collaborazioni della commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni (MD.P05.003)" (literal)
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  • Collaborazioni con l'industria: La Commessa collabora da anni con la STMicroelectronics di Catania, sviluppando il \"know-how\" per la realizzazione di dispositivi su SiC e GaN: -Studio e realizzazione di componenti elettronici su semiconduttori composti (SiC e GaN). -Sviluppo di processi e dispositivi in SiC (contatti metallici, interfacce ossido/SiC, nuovi dielettrici per dispositivi trench MOSFETs), trasferimento tecnologico di processi per diodi Schottky, MOSFET, JBS e rivelatori UV. -Sviluppo di processi e dispositivi in GaN (dielettrici per il canale HEMT, HEMT normally-off con tecnologia Au-free e con gate in p-GaN). -Caratterizzazione di strutture 2D e 3D per dispositivi di in Si. - Processi per il trasferimento di grafene su larga area. Con la ditta tedesca Centrotherm è stato sviluppato un processo di crescita epitassiale di grafene su SiC in forni industriali. Nel 2014 è stato avviato un JDA con la ditta tedesca SENTECH per lo sviluppo di processi di crescita di dielettrici per ALD. Nell'ambito della \"Graphene Flagship\", la Commessa collabora con la ditta spagnola Graphenea per la caratterizzazione di grafene cresciuto su substrati metallici. Collaborazioni con istituzioni nazionali ed internazionali: Institute of High Pressure Physics, Varsavia (Polonia): Sviluppo e caratterizzazione di eterostrutture GaN per dispositivi ad alta efficienza energetica Università di Catania (Dip. di Chimica): Deposizione e caratterizzazione di film dielettrici Università di Erlangen (Germania): Studi di interfacce ossido/SiC, Nanocaratterizzazione di contatti QFEG/SiC Università di Linkoeping (Svezia): Crescita di strati di grafene su SiC Università di Lione (Francia): Realizzazione di diodi Schottky su Ge-doped SiC, contatti metallici \"MAX phase\" Università di Tours (Francia): Tecnologie per WBG power electronics Università degli Studi di Palermo (Dip. di Fisica e Chimica): Attività su grafene e MoS2 nell'ambito del Dottorato in Scienza dei Materiali e Nanoscienze. (literal)
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